UCC28C55-Q1
- 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
-
30V VDD 绝对最大电压
- 1MHz 最大固定频率工作
- 50µA 启动电流，最大值 75µA
- 低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
- 高工作 T J：150°C（最大值）
- 35ns 快速逐周期过流限制
- 峰值驱动电流为 ±1A
- 轨到轨输出：
- 25ns 上升时间
- 20ns 下降时间
- 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
-
与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产品
- 提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
- 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
- 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V
UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。
除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。
VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。
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功能与比较器件相同且具有相同引脚。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC28C5x-Q1 适用于 Si 和 SiC MOSFET 的汽车类低功耗、电流模式、高性能 PWM 控制器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023-3-27 |
| 白皮书 | 用于 HEV 和 EV 牵引逆变器的隔离式辅助电源架构 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-1-22 | |
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| 功能安全信息 | UCC28C5x-Q1 Funcitonal safety FIT rate, FMD, and pin FMA | PDF | HTML | 2022-9-12 | |||
| 应用手册 | High Density Auxiliary Power Supply Using a SiC MOSFET for 800-V Traction Invert | PDF | HTML | 2022-7-6 |
设计与开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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