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UCC27624V-Q1

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具有 8V UVLO 和低传播延迟的汽车级 30V VDD、5A/5A 双通道低侧驱动器

产品详情

Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Dual, Non-Inverting
Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Dual, Non-Inverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm) VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • 符合汽车应用要求
  • 符合 AEC-Q100 标准
    • 器件温度 1 级
  • 每个通道具有 5A 的典型峰值拉取和灌入驱动电流
  • 输入和使能引脚能够处理 –10V 的电压
  • 输出端能够处理 -2V 的瞬态电压
  • 绝对最大 VDD 电压:30V
  • 宽 VDD 工作电压范围:9.5V 至 26V,具有 UVLO 功能
  • 可实现高抗噪性的迟滞逻辑阈值
  • VDD 独立输入阈值(兼容 TTL)
  • 短暂传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值分别为 6ns 和 10ns)
  • 两个通道之间的延迟匹配典型值为 1ns
  • 可将两个通道并联以获得更高的驱动电流
  • SOIC8 PowerPAD™ 和 VSSOP8 PowerPAD™ 封装选项
  • 工作结温范围:–40°C 至 150°C
  • 符合汽车应用要求
  • 符合 AEC-Q100 标准
    • 器件温度 1 级
  • 每个通道具有 5A 的典型峰值拉取和灌入驱动电流
  • 输入和使能引脚能够处理 –10V 的电压
  • 输出端能够处理 -2V 的瞬态电压
  • 绝对最大 VDD 电压:30V
  • 宽 VDD 工作电压范围:9.5V 至 26V,具有 UVLO 功能
  • 可实现高抗噪性的迟滞逻辑阈值
  • VDD 独立输入阈值(兼容 TTL)
  • 短暂传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值分别为 6ns 和 10ns)
  • 两个通道之间的延迟匹配典型值为 1ns
  • 可将两个通道并联以获得更高的驱动电流
  • SOIC8 PowerPAD™ 和 VSSOP8 PowerPAD™ 封装选项
  • 工作结温范围:–40°C 至 150°C

UCC27624V-Q1 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 电源开关。UCC27624V-Q1 的典型峰值驱动强度为 5A,这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟(典型值为 17ns),可改善系统的死区时间优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。

UCC27624V-Q1 可在输入端处理 –10V 的电压,通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。输入与电源电压无关,可以连接大多数控制器输出端,从而尽可能提高控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。发生系统故障时,栅极驱动器可以通过拉低使能端来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极都存在噪音,这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚,造成驱动器故障。该器件凭借其瞬态反向电流和反向电压能力,能够承受功率器件或脉冲变压器的栅极噪声,并避免驱动器故障。

UCC27624V-Q1 还具有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来全面增强功率器件时,强大的内部下拉 MOSFET 使栅极驱动器输出保持在低电平。

UCC27624V-Q1 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 电源开关。UCC27624V-Q1 的典型峰值驱动强度为 5A,这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟(典型值为 17ns),可改善系统的死区时间优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。

UCC27624V-Q1 可在输入端处理 –10V 的电压,通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。输入与电源电压无关,可以连接大多数控制器输出端,从而尽可能提高控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。发生系统故障时,栅极驱动器可以通过拉低使能端来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极都存在噪音,这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚,造成驱动器故障。该器件凭借其瞬态反向电流和反向电压能力,能够承受功率器件或脉冲变压器的栅极噪声,并避免驱动器故障。

UCC27624V-Q1 还具有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来全面增强功率器件时,强大的内部下拉 MOSFET 使栅极驱动器输出保持在低电平。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC57142EVM — UCC57142 评估模块

UCC57142EVM 主要用于评估 UCC57142 的功能。此 EVM 可以针对容性负载或具有 TO-220 封装的功率器件评估这款驱动器的性能。UCC57142EVM 评估板支持通过表面贴装测试点连接到各种测试点(例如 IN、EN/FLT、OCP 和 OUT)。UCC57142EVM 可通过跳线支持不同的 UCC57142 型号。通过对电路板进行改造,UCC57142EVM 还与 DBV 封装中的其他栅极驱动器兼容。
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无货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DGK) 8 Ultra Librarian

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