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UCC23113

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具有功能隔离的 4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器 (1.2kVRMS)

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Functional Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5300 Peak output current (A) 4.5 Peak output current (source) (typ) (A) 4.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5.3 Features Opto-compatible input Output VCC/VDD (min) (V) 14 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input threshold 4 mA, 4mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 1 Isolation rating Functional Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5300 Peak output current (A) 4.5 Peak output current (source) (typ) (A) 4.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5.3 Features Opto-compatible input Output VCC/VDD (min) (V) 14 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input threshold 4 mA, 4mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (DWY) 6 53.82 mm² 4.68 x 11.5
  • 具有光耦兼容输入的 1.5kV DC 单通道隔离式栅极驱动器
  • 适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级
  • 5A 拉电流/5A 灌电流，峰值输出电流
  • 最高 30V 输出驱动器电源电压
  • 12V VDD 欠压锁定
  • 轨到轨输出
  • 105ns（最大值）传播延迟
  • 25ns（最大值）器件间延迟匹配
  • 35ns（最大值）脉宽失真
  • 100kV/µs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)
  • 输入级具有 5V 反极性电压处理能力，支持互锁
  • 扩展型 SO-6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm
  • 运行结温 T J：–40°C 至 +150°C
  • 具有光耦兼容输入的 1.5kV DC 单通道隔离式栅极驱动器
  • 适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级
  • 5A 拉电流/5A 灌电流，峰值输出电流
  • 最高 30V 输出驱动器电源电压
  • 12V VDD 欠压锁定
  • 轨到轨输出
  • 105ns（最大值）传播延迟
  • 25ns（最大值）器件间延迟匹配
  • 35ns（最大值）脉宽失真
  • 100kV/µs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)
  • 输入级具有 5V 反极性电压处理能力，支持互锁
  • 扩展型 SO-6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm
  • 运行结温 T J：–40°C 至 +150°C

UCC23113 光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，具有 5A 的峰值拉电流和灌电流输出，以及 1.5kV DC 功能隔离。由于具有 30V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23113 可以驱动低侧和高侧功率 FET。

与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。它采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙 > 8.5mm，来自材料组 I 的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。

UCC23113 具有高性能和高可靠性，适合用于所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

UCC23113 光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，具有 5A 的峰值拉电流和灌电流输出，以及 1.5kV DC 功能隔离。由于具有 30V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23113 可以驱动低侧和高侧功率 FET。

与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。它采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙 > 8.5mm，来自材料组 I 的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。

UCC23113 具有高性能和高可靠性，适合用于所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
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* 数据表 UCC23113 具有 UVLO 的 5A、5A 光耦兼容单通道功能隔离式栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 8月 28日

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