TRF0108-SP

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Radiation-hardness-assured (RHA), near-DC to 12GHz, differential to single-ended (D2S) RF amplifier

产品详情

Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 12000 Gain (typ) (dB) 15.9 Noise figure (typ) (dB) 10.9 OIP3 (typ) (dBm) 26.5 P1dB (typ) (dBm) 11 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 4 3rd harmonic (dBc) -43 OIP2 (typ) (dBm) 34 2nd harmonic (dBc) -39 Current consumption (mA) 170 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
Type RF FDA Frequency (min) (MHz) 0.01 Frequency (max) (MHz) 12000 Gain (typ) (dB) 15.9 Noise figure (typ) (dB) 10.9 OIP3 (typ) (dBm) 26.5 P1dB (typ) (dBm) 11 Frequency of harmonic distortion measurement (GHz) 4 3rd harmonic (dBc) -43 OIP2 (typ) (dBm) 34 2nd harmonic (dBc) -39 Current consumption (mA) 170 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Space Output enable Yes Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (rad) 100000
WQFN-FCRLF (RPV) 12 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • 标准微电路图 (SMD) 5962-25201
  • 辐射:
    • 电离辐射总剂量 (TID)
      • 耐辐射加固保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
      • 无增强低剂量率敏感性 (ELDRS) 工艺
      • 高剂量率辐射批次验收测试 (HDR RLAT) 高达 100krad (Si) TID
    • 单粒子效应 (SEE)
      • 单粒子锁定 (SEL) 对于 75MeV-cm2/mg 的线性能量传递 (LET) 具有抗扰性
      • 单粒子瞬变 (SET) 的特征值基于 75MeV-cm2/mg 的 LET
  • 航天级 QML-P
    • 无铅结构
    • 工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  • 差动转单端 (D2S) 射频放大器
  • 近直流至 12GHz
  • 增益:2GHz 时为 15.2dB
  • OP1dB:11.4dBm (2GHz)、9.4dBm (6GHz)
  • OIP3:27dBm (2GHz)、28.5dBm (6GHz)
  • NF:10.9dB (2GHz)、12.1dB (6GHz)
  • HD2 (1GHz):2dBm 时为 –57dBc
  • HD3 (1GHz):2dBm 时为 –57dBc
  • 附加(残留)相位噪声 (1GHz):
    • 10kHz 偏移时为 –154.6dBc/Hz
  • 增益和相位不平衡:±0.6dB 和 ±3º
  • 差动输入与 100Ω 匹配,单端输出与 50Ω 匹配
  • 关断特性
  • 5V 电源
  • 有效电流:170mA
  • 标准微电路图 (SMD) 5962-25201
  • 辐射:
    • 电离辐射总剂量 (TID)
      • 耐辐射加固保障 (RHA) 高达 100krad (Si) TID
      • 无增强低剂量率敏感性 (ELDRS) 工艺
      • 高剂量率辐射批次验收测试 (HDR RLAT) 高达 100krad (Si) TID
    • 单粒子效应 (SEE)
      • 单粒子锁定 (SEL) 对于 75MeV-cm2/mg 的线性能量传递 (LET) 具有抗扰性
      • 单粒子瞬变 (SET) 的特征值基于 75MeV-cm2/mg 的 LET
  • 航天级 QML-P
    • 无铅结构
    • 工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  • 差动转单端 (D2S) 射频放大器
  • 近直流至 12GHz
  • 增益:2GHz 时为 15.2dB
  • OP1dB:11.4dBm (2GHz)、9.4dBm (6GHz)
  • OIP3:27dBm (2GHz)、28.5dBm (6GHz)
  • NF:10.9dB (2GHz)、12.1dB (6GHz)
  • HD2 (1GHz):2dBm 时为 –57dBc
  • HD3 (1GHz):2dBm 时为 –57dBc
  • 附加(残留)相位噪声 (1GHz):
    • 10kHz 偏移时为 –154.6dBc/Hz
  • 增益和相位不平衡:±0.6dB 和 ±3º
  • 差动输入与 100Ω 匹配,单端输出与 50Ω 匹配
  • 关断特性
  • 5V 电源
  • 有效电流:170mA

TRF0108-SP 是一款超高性能差分转单端 (D2S) 放大器,专门针对射频 (RF) 应用进行了优化。当由高性能 DAC39RF10-SPAFE7950-SP 等数模转换器 (DAC) 驱动时,该器件非常适合需要 D2S 转换的应用。片上匹配元件可简化印刷电路板 (PCB) 的实现方案,在可用带宽内具有超高性能。此器件采用德州仪器 (TI) 先进的互补 BiCMOS 工艺制造,并采用节省空间的 WQFN-FCRLF 2mm x 2mm 封装。

TRF0108-SP 采用单路 5V 电源供电,工作电流约为 170mA。断电功能还有助于实现节能。

TRF0108-SP 是一款超高性能差分转单端 (D2S) 放大器,专门针对射频 (RF) 应用进行了优化。当由高性能 DAC39RF10-SPAFE7950-SP 等数模转换器 (DAC) 驱动时,该器件非常适合需要 D2S 转换的应用。片上匹配元件可简化印刷电路板 (PCB) 的实现方案,在可用带宽内具有超高性能。此器件采用德州仪器 (TI) 先进的互补 BiCMOS 工艺制造,并采用节省空间的 WQFN-FCRLF 2mm x 2mm 封装。

TRF0108-SP 采用单路 5V 电源供电,工作电流约为 170mA。断电功能还有助于实现节能。

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* 数据表 TRF0108-SP 耐辐射加固保障 (RHA)、近直流至 12GHz、差动转单端射频放大器 PDF | HTML PDF | HTML 2024-7-13
* 辐射与可靠性报告 TRF0108-SP Total Ionizing Dose (TID) Report (Rev. A) 2026-3-30
* 辐射与可靠性报告 TRF0108-SP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report 2026-3-27
选择指南 TI Space Products (Rev. L) 2026-3-27

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

TRF0108-SP S-Parameter Model

SLOM538.ZIP (8 KB) - S 参数模型
支持的产品和硬件
计算工具

RF-CASCADE-CALC-TOOL — TI 射频级联计算器

A browser-based RF lineup analysis tool supporting up to 10 stages. Computes gain, NF, OIP3, OIP2, OP1dB, and derived metrics. Features dual-axis Plotly charts, P1dB saturation detection, and export to CSV
支持的产品和硬件
认证

TRF0108SP-EVM-DOC-CERT — TRF0108SP-EVM EU Declaration of Conformity (DoC)

TRF0108SP-EVM EU Declaration of Conformity (DoC)
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN-FCRLF (RPV) 12 Ultra Librarian

订购和质量

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支持和培训

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