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线性和低压降 (LDO) 稳压器
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TPS7N41-Q1

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1A、低噪声、低 Iq、高 PSRR LDO 稳压器

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TPS7N41-Q1

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产品详情

Rating Automotive Vin (max) (V) 6 Vin (min) (V) 1.9 Iout (max) (A) 1 Output options Adjustable Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.8 Noise (µVrms) 12 PSRR at 100 KHz (dB) 60 Iq (typ) (mA) 0.03 Features Enable, Wettable flanks package Thermal resistance θJA (°C/W) 53.8 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Vin (max) (V) 6 Vin (min) (V) 1.9 Iout (max) (A) 1 Output options Adjustable Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.8 Noise (µVrms) 12 PSRR at 100 KHz (dB) 60 Iq (typ) (mA) 0.03 Features Enable, Wettable flanks package Thermal resistance θJA (°C/W) 53.8 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 125
VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：-40°C 至 +125°C
    • 结温：-40°C 至 +150°C
  • 可调节的输出电压：0.8V 至 5.5V
  • 输入电压范围：1.9V 至 6.0V
  • 高 PSRR：
    • 1kHz 时为 75dB
    • 100kHz 时为 50dB
    • 1MHz 时为 50dB

  • 低噪声：8µVRMS，无需 NR 电容器

  • 低压降电压：250mV (1A)
  • 负载、线路和温度范围内的精度为 2%
  • 与 4.7µF 输出电容器一起工作时保持稳定
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 过流和过热保护
  • 封装：
    • 3mm × 3mm 可湿性侧面 SON-8
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：-40°C 至 +125°C
    • 结温：-40°C 至 +150°C
  • 可调节的输出电压：0.8V 至 5.5V
  • 输入电压范围：1.9V 至 6.0V
  • 高 PSRR：
    • 1kHz 时为 75dB
    • 100kHz 时为 50dB
    • 1MHz 时为 50dB

  • 低噪声：8µVRMS，无需 NR 电容器

  • 低压降电压：250mV (1A)
  • 负载、线路和温度范围内的精度为 2%
  • 与 4.7µF 输出电容器一起工作时保持稳定
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 过流和过热保护
  • 封装：
    • 3mm × 3mm 可湿性侧面 SON-8

TPS7N41Q1 低压降线性稳压器 (LDO) 具有极佳的噪声抑制和电源抑制比 (PSRR) 性能。此 LDO 使用先进的 BiCMOS 工艺和 PMOSFET 导通器件，可实现出色的噪声、瞬态响应和 PSRR 性能。

TPS7N41Q1 在输出电容器为 4.7µF 时可保持稳定。精密电压基准和反馈环路可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内帮助 LDO 实现 ±2% 的精度。

LDO 的额定工作结温范围为 −40°C 至 +150°C。器件采用 3mm × 3mm SON-8 封装，具有可润湿侧面。

TPS7N41Q1 低压降线性稳压器 (LDO) 具有极佳的噪声抑制和电源抑制比 (PSRR) 性能。此 LDO 使用先进的 BiCMOS 工艺和 PMOSFET 导通器件，可实现出色的噪声、瞬态响应和 PSRR 性能。

TPS7N41Q1 在输出电容器为 4.7µF 时可保持稳定。精密电压基准和反馈环路可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内帮助 LDO 实现 ±2% 的精度。

LDO 的额定工作结温范围为 −40°C 至 +150°C。器件采用 3mm × 3mm SON-8 封装，具有可润湿侧面。
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* 数据表 TPS7N41Q1 低噪声，高 PSRR 1A LDO 数据表 PDF | HTML 2026年 3月 13日

设计与开发

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评估板

MULTIPKGLDOEVM-823 — 支持 DBV、DRB、DRV 和 DQN 封装的通用 LDO 线性稳压器评估模块

MULTIPKGLDOEVM-823 评估模块 (EVM) 可帮助您评估可能用于电路应用的多种常见线性稳压器封装的操作和性能。这种特殊的 EVM 配置采用 DRB、DRV、DQN 和 DBV 封装，便于您焊接和评估低压降 (LDO) 稳压器。

用户指南: PDF
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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