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TPS657120

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射频前端电源管理 IC (PMIC)

产品详情

Processor supplier NVIDIA Processor name Tegra Regulated outputs (#) 5 Step-down DC/DC converter 3 Step-up DC/DC converter 0 LDO 2 Vin (min) (V) 2 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.8 Vout (max) (V) 3.6 Iout (max) (A) 2.5 Configurability Factory programmable, Software configurable Features Power good, Power sequencing Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Step-down DC/DC controller 0 Step-up DC/DC controller 0 Iq (typ) (mA) 0.06 Switching frequency (max) (kHz) 2600 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 55 Switching frequency (typ) (kHz) 2400
Processor supplier NVIDIA Processor name Tegra Regulated outputs (#) 5 Step-down DC/DC converter 3 Step-up DC/DC converter 0 LDO 2 Vin (min) (V) 2 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.8 Vout (max) (V) 3.6 Iout (max) (A) 2.5 Configurability Factory programmable, Software configurable Features Power good, Power sequencing Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Step-down DC/DC controller 0 Step-up DC/DC controller 0 Iq (typ) (mA) 0.06 Switching frequency (max) (kHz) 2600 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 55 Switching frequency (typ) (kHz) 2400
DSBGA (YFF) 30 5.71999999999999912 mm² 2.2 x 2.5999999999999996
  • 3 个降压转换器:
    • VIN 范围从 2.8V 至 5.5V
    • 轻负载电流状态下的省电模式
    • PWM 模式中的输出电压准确度为 ±2%
    • 每个 DCDC1 和 DCDC2 转换器的静态电流典型值为 16μA
    • DCDC3 转换器的静态电流典型值为 26μA
    • 动态电压调节
    • 最低压降占空比为 100%
  • 2 个低压降稳压器 (LDO):
    • 2 x 10mA 输出电流
    • 低噪音 RF-LDO
    • 输出电压范围 1.2V 至 3.4V
    • 32μA 静态电流
    • 独立的电源输入支持预调节
    • ECO 模式
    • LDO 的 VIN范围:
      • LDO1:2.0V 至 5.5V
      • LDO2:2.8V 至 5.5V
  • 2 个通用输入输出 (GPIO)
  • 过热保护
  • 旁路开关
    • 与为 RF-PA 供电的 DCDC3 一同使用
  • 接口
    • 26MHz 移动行业处理器接口 (MIPI) 射频前端 (RFFE) 接口
  • 欠压闭锁
  • 灵活的加电和断电排序
  • 2.5mm x 2.3mm 晶圆级芯片封装 (WCSP) 封装,引线间距为 0.4mm

应用

  • 数据卡
  • 智能手机

  • 3 个降压转换器:
    • VIN 范围从 2.8V 至 5.5V
    • 轻负载电流状态下的省电模式
    • PWM 模式中的输出电压准确度为 ±2%
    • 每个 DCDC1 和 DCDC2 转换器的静态电流典型值为 16μA
    • DCDC3 转换器的静态电流典型值为 26μA
    • 动态电压调节
    • 最低压降占空比为 100%
  • 2 个低压降稳压器 (LDO):
    • 2 x 10mA 输出电流
    • 低噪音 RF-LDO
    • 输出电压范围 1.2V 至 3.4V
    • 32μA 静态电流
    • 独立的电源输入支持预调节
    • ECO 模式
    • LDO 的 VIN范围:
      • LDO1:2.0V 至 5.5V
      • LDO2:2.8V 至 5.5V
  • 2 个通用输入输出 (GPIO)
  • 过热保护
  • 旁路开关
    • 与为 RF-PA 供电的 DCDC3 一同使用
  • 接口
    • 26MHz 移动行业处理器接口 (MIPI) 射频前端 (RFFE) 接口
  • 欠压闭锁
  • 灵活的加电和断电排序
  • 2.5mm x 2.3mm 晶圆级芯片封装 (WCSP) 封装,引线间距为 0.4mm

应用

  • 数据卡
  • 智能手机

TPS657120 提供 3 个输出电流高达 2A 的可配置降压转换器。 它还包含 2 个 LDO 稳压器。 LDO1 可直接由输入电压或者由诸如 DCDC1 或 DCDC2 的一个预稳压电源供电。 到 LDO2 的输入电压可被用作一个模拟电源输入,因此,需要将它连接至一个与 VINDCDC1/2 和 VINDCDC3 处于同一电压电平的输入电压上。 内部加电/断电控制器是可配置的,并能够支持任何加电/断电序列(基于一次性可编程 (OTP))。 所有 LDO 和直流到直流转换器由一个 MIPI RFFE 兼容接口和/或由引脚 PWRON,CLK_REQ1 和 CLK_REQ2 进行控制。 此外,还有一个 nRESET 以及一个 RFFE 地址选择 (ADR_SELECT) 输入,这两个输入中任何一个可被用作具有 1mA 电流吸收能力的通用 I/O。 TPS657120 采用 6 焊球 x 5 焊球的 WCSP 封装 (2.5mm x 2.3mm),引线间距 0.4mm。

TPS657120 提供 3 个输出电流高达 2A 的可配置降压转换器。 它还包含 2 个 LDO 稳压器。 LDO1 可直接由输入电压或者由诸如 DCDC1 或 DCDC2 的一个预稳压电源供电。 到 LDO2 的输入电压可被用作一个模拟电源输入,因此,需要将它连接至一个与 VINDCDC1/2 和 VINDCDC3 处于同一电压电平的输入电压上。 内部加电/断电控制器是可配置的,并能够支持任何加电/断电序列(基于一次性可编程 (OTP))。 所有 LDO 和直流到直流转换器由一个 MIPI RFFE 兼容接口和/或由引脚 PWRON,CLK_REQ1 和 CLK_REQ2 进行控制。 此外,还有一个 nRESET 以及一个 RFFE 地址选择 (ADR_SELECT) 输入,这两个输入中任何一个可被用作具有 1mA 电流吸收能力的通用 I/O。 TPS657120 采用 6 焊球 x 5 焊球的 WCSP 封装 (2.5mm x 2.3mm),引线间距 0.4mm。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS657120 针对基带和射频-功率放大器(RF-PA) 电源的电源管理单元(PMU) 数据表 最新英语版本 (Rev.A) PDF | HTML 2014年 1月 30日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YFF) 30 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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