数据表
TPS562211
- 输入电压:4.2 V 至 18 V
- 输出电压:0.6V 至 7V
- 高达 2A 的持续输出电流
- 最短导通时间:45ns
- 最大占空比: 98%
- 高效率
- 集成式 66mΩ 和 33mΩ MOSFET
- 静态电流 120µA(典型值)
- 高度灵活且易于使用
- 可选 Eco-mode 或 FCCM 操作
- 可选的电源正常状态指示器或外部软启动
- 精密使能输入
- 高精度
- 基准电压精度:±1% (25°C)
- 开关频率容差:±8.5%
- 小解决方案尺寸
- 内置补偿功能,便于使用
- SOT583 封装
- 最小外部元件数量
- 用于高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制
- 非锁存 OVP、UVP、UVLO 和 TSD 保护
- 使用 TPS562211 并借助 WEBENCH® Power Designer 创建定制设计方案
TPS562211 是一款具有成本效益且高度灵活的同步降压转化器,提供可选的 Eco-mode 或强制连续导通模式 (FCCM) 操作。另外还可以通过 MODE 引脚配置可选的电源正常状态指示器或外部软启动。通过正确配置使能、电源正常状态指示器或外部软启动可以实现电源时序控制。4.2V 至 18V 的宽输入电压范围支持 12V 和 15V 等各种常见的输入电压轨。其输出电压为 0.6V 至 7V,支持高达 2A 的持续输出电流。
该器件采用高级仿真电流模式 (AECM) 控制拓扑,能够提供快速瞬态响应和真正的固定开关频率。借助内部智能环路带宽控制,该器件无需外部补偿,即可在宽输出电压范围内实现快速瞬态响应。
高侧峰值电流的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件,并通过低侧谷值电流限制防止电流失控,增强限制效果。在过压保护 (OVP)、欠压保护 (UVP)、UVLO 保护和热关断保护情况下将触发打嗝模式。
此器件采用 1.6mm x 2.1mm SOT583 封装。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS562211 采用 SOT583 封装的 4.2V 至 18V 输入、2A 同步降压转换器 数据表 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2021-9-14 | |
| 应用简报 | 高度灵活、易用型直流/直流解决方案的优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-2-23 | |
| 应用手册 | Transient Response Comparison of AECM with D-CAP2 and PCM Control | PDF | HTML | 2022-12-21 | |||
| 白皮书 | Achieving Fast Load-Transient Response and Low EMI with the AECM DC/DC Control (Rev. A) | PDF | HTML | 2022-10-24 | |||
| 证书 | TPS562211EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2020-7-29 |
设计与开发
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评估板
TPS562211EVM — 采用 SOT583 封装的 18V 输入、2A 输出、600kHz 同步降压转换器评估模块
TPS562211 是一款采用 SOT583 封装且具有可选 Eco-Mode 和 FCCM 的简单易用型 2A 同步降压转换器。TPS562211EVM 是一个经全面封装测试的电路,用于评估 TPS562211 降压转换器。TPS562211EVM 在 4.2V 至 18V(额定电压 12V)的输入电压范围内工作,在电流为 2A 时提供 3.3V 的输出。还具有可用于反馈环路测量的交流信号注入端子。
参考设计
PMP41017 — 使用 GaN 和 C2000™ MCU 器件的 3kW 两相交错式半桥 LLC 参考设计
该参考设计是使用 LMG3422 和 F280039C 器件的 3kW、两相交错式半桥电感器-电感器-电容器 (LLC)。该设计可实现 98.1% 的峰值效率和 313W/in³ 功率密度,可用作通用冗余电源 (CRPS) 服务器电源的输出级,用于评估两个并联 LLC 级的控制方法,例如交错和电流平衡。
参考设计
PMP41037 — 采用 GaN 和 C2000 的 1kW、800V 至 12V 串行半桥双向 DCX 参考设计
此参考设计是一个 1kW 双向直流变压器 (DCX),可将 800V 直流总线转换为具有隔离功能的 12V 电压。此设计由 F280039C 控制,并在谐振回路的谐振频率下持续运行。初级侧使用 LMG3622 GaN 串行半桥来处理高达 900V 的直流电压。串行半桥 (SHB) 可以修改为全桥,并将高压侧从 800V 更改为 400V。串行半桥支持各种 PWM 策略并控制灵活性。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-5X3 (DRL) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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