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产品详细信息

参数

DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4 Control mode Current Mode Iout VDDQ (Max) (A) 4 Iout VTT (Max) (A) 1 Iq (Typ) (mA) 0.65 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (Min) (V) 2.95 Vin (Max) (V) 6 Features Complete Solution, Power Good, Shutdown Pin for S3 Rating Automotive Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 DDR 存储器电源 IC

封装|引脚|尺寸

WQFN (RTW) 24 16 mm² 4 x 4 open-in-new 查找其它 DDR 存储器电源 IC

特性

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
  • 4A 同步降压转换器
    • 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
    • 固定频率电流模式控制
    • 可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz
    • 与一个外部时钟同步
    • 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
    • 可调逐周期峰值电流限制
    • 针对预偏置输出的单调性启动
  • 直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器
    • 与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定
    • 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
  • 独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调
  • 热关断
  • 运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至 150°C
  • 24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装

应用

  • 嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源
  • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 终端
  • 信息娱乐和仪表板
  • 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)

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描述

TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。

TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。

VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。

该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。

该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC 尺寸。

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技术文档

= TI 精选相关文档
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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 TPS54116-Q1 2.95V 至 6V 输入、4A 降压转换器和 1A 拉/灌电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. A) 下载最新的英文版本 (Rev.B) 2016年 10月 18日
应用手册 DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis 2020年 7月 9日
技术文章 Improving DDR memory performance in automotive applications 2017年 6月 22日
技术文章 Four design tips to obtain 2MHz switching frequency 2016年 10月 3日
用户指南 TPS54116EVM-830 4-A, 1-A, SWIFT™ Regulator Evaluation Module 2016年 8月 11日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
49
说明

此评估模块旨在演示使用 TPS54116-Q1 稳压器进行设计时,可减小印刷电路板面积。外部分压器能实现可调节的输出电压。TPS54116-Q1 直流/直流转换器是一款同步降压转换器,旨在为 DDR 存储器终端提供高达 4A 的输出和集成的 1A 拉电流/灌电流 LDO。

特性
  • DDR VDDQ 和 VTT 输出
  • 包括 VTT 拉/灌动态负载
  • VTTREF 输出
  • VDDQ 高达 4A
  • VTT 输出高达 ±1A

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLVMBR1.ZIP (219 KB) - PSpice Model

参考设计

参考设计 下载
面向基于低功耗 TDA3x 的系统的汽车电源参考设计
TIDA-00530 此解决方案旨在为使用 TDA3x SoC(无需汽车电池输入)的 ADAS 应用创建尺寸经优化的集成电源设计。通过仅面向需要较低处理性能的应用,我们可以选择的器件和组件将比采用较高性能处理器的系统更小。
document-generic 原理图

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
WQFN (RTW) 24 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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