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产品详细信息

参数

DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4 Control mode Current Mode Iout VDDQ (Max) (A) 4 Iout VTT (Max) (A) 1 Iq (Typ) (mA) 0.65 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (Min) (V) 2.95 Vin (Max) (V) 6 Features Complete Solution, Power Good, Shutdown Pin for S3 Rating Automotive Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 DDR 存储器电源 IC

封装|引脚|尺寸

WQFN (RTW) 24 16 mm² 4 x 4 open-in-new 查找其它 DDR 存储器电源 IC

特性

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
  • 4A 同步降压转换器
    • 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
    • 固定频率电流模式控制
    • 可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz
    • 与一个外部时钟同步
    • 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
    • 可调逐周期峰值电流限制
    • 针对预偏置输出的单调性启动
  • 直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器
    • 与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定
    • 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
  • 独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调
  • 热关断
  • 运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至 150°C
  • 24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装

应用

  • 嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源
  • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 终端
  • 信息娱乐和仪表板
  • 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)

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描述

TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。

TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。

VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。

该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。

该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC 尺寸。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 TPS54116-Q1 2.95V 至 6V 输入、4A 降压转换器和 1A 拉/灌电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. A) 下载最新的英文版本 (Rev.B) 2016年 10月 18日
用户指南 Single LP8733-Q1 User's Guide to Power DRA78x and TDA3 (Rev. A) 2021年 3月 31日
应用手册 DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) 2020年 7月 9日
技术文章 Improving DDR memory performance in automotive applications 2017年 6月 22日
技术文章 Four design tips to obtain 2MHz switching frequency 2016年 10月 3日
用户指南 TPS54116EVM-830 4-A, 1-A, SWIFT™ Regulator Evaluation Module 2016年 8月 11日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
49
说明

此评估模块旨在演示使用 TPS54116-Q1 稳压器进行设计时,可减小印刷电路板面积。外部分压器能实现可调节的输出电压。TPS54116-Q1 直流/直流转换器是一款同步降压转换器,旨在为 DDR 存储器终端提供高达 4A 的输出和集成的 1A 拉电流/灌电流 LDO。

特性
  • DDR VDDQ 和 VTT 输出
  • 包括 VTT 拉/灌动态负载
  • VTTREF 输出
  • VDDQ 高达 4A
  • VTT 输出高达 ±1A

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLVMBR1.ZIP (219 KB) - PSpice Model

参考设计

参考设计 下载
面向基于低功耗 TDA3x 的系统的汽车电源参考设计
TIDA-00530 此解决方案旨在为使用 TDA3x SoC(无需汽车电池输入)的 ADAS 应用创建尺寸经优化的集成电源设计。通过仅面向需要较低处理性能的应用,我们可以选择的器件和组件将比采用较高性能处理器的系统更小。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
WQFN (RTW) 24 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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