TPS53317A

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用于 DDR VTT 的 0.9V-6V 输入、6A 输出、D-CAP+ 模式 SWIFT 同步降压转换器

产品详情

Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power good, Tracking/Non-Tracking Mode Iq (typ) (mA) 0.32 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features Eco Mode, Fixed PWM Mode, Power good, Tracking/Non-Tracking Mode Iq (typ) (mA) 0.32 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
VQFN (RGB) 20 14 mm² 4 x 3.5
  • 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
  • 支持 DDR 内存终止,具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
  • 外部跟踪
  • 最少的外部组件数
  • 0.9V 至 6V 转换电压
  • D-CAP+ 模式架构
  • 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
  • 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
  • 轻量级负载与重负载下的优化效率
  • 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
  • 可选过流限制 (OCL)
  • 过压、过热和断续欠压保护
  • 可调输出电压范围为 0.45V 至 2V
  • 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装

应用

  • 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
  • VTT 终止
  • 用于 0.9V 至 6V 输入电源轨的低电压应用

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
  • 支持 DDR 内存终止,具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
  • 外部跟踪
  • 最少的外部组件数
  • 0.9V 至 6V 转换电压
  • D-CAP+ 模式架构
  • 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
  • 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
  • 轻量级负载与重负载下的优化效率
  • 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
  • 可选过流限制 (OCL)
  • 过压、过热和断续欠压保护
  • 可调输出电压范围为 0.45V 至 2V
  • 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装

应用

  • 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
  • VTT 终止
  • 用于 0.9V 至 6V 输入电源轨的低电压应用

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TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。

TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。

TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。

TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。

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技术文档

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* 数据表 TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出、D-CAP+ 模式、同步降压集成 FET 转换器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2015年 12月 22日
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EVM 用户指南 Using the TPS53317AEVM-726 2015年 11月 18日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TPS53317AEVM-726 — 针对 TPS53317A 用于 DDR VTT 的同步降压转换器的评估模块

TPS53317AEVM-726 旨在演示 TPS53317A 在典型的低电压应用中模拟 DDR4 环境,并提供用于评估 TPS53317A 性能的许多测试点。TPS53317AEVM-726 使用 1.2V 电压轨,可在高达 6A 的负载电流下产生 0.6V 的稳压输出。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TPS53317A PSpice Transient Model

SLUM499.ZIP (130 KB) - PSpice Model
参考设计

PMP11399 — 面向企业级以太网交换机的 PMBus 电源系统参考设计

PMP11399 是完整的 PMBus 电力系统,可以为 3 个 ASIC/FPGA 内核、DDR3 内核内存、VTT 终端供电,并为高性能以太网交换机提供辅助电压。硬件附带有 GUI,便于用户对电源执行实时配置和监控。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RGB) 20 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频