TPS51604-Q1
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
- 器件人体模型静电放电 (ESD) 分类等级 H2
- 器件的充电器件模型 ESD 分类等级 C3B
- 针对已优化连续传导模式 (CCM) 的精简死区时间驱动电路
- 针对已优化断续传导模式 (DCM) 效率的自动零交叉检测
- 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式
- 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟
- 针对超级本 (Ultrabook) FET 的集成 BST 开关驱动强度
- 针对 5V FET 驱动而进行了优化
- 转换输入电压范围 (VIN)：4.5V 至 28V
- 2mm x 2mm 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) Power-Pad 封装
应用
- 汽车后座娱乐 (RSE) 平板电脑采用高频 CPU，配合以下电源输入使用：
- 适配器
- 电池
- NVDC
- 5V 至 12V 电源轨
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TPS51604-Q1 驱动器针对高频 CPU VCORE 应用进行了优化。 具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性，可用于在整个负载范围内优化效率。
SKIP 引脚提供立即 CCM 操作以支持输出电压的受控管理。 此外，TPS51604-Q1 还支持两种低功耗模式。 借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130µA，并支持立即响应。 当 SKIP 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。 此驱动器与适当的德州仪器 (TI) 控制器配对使用，能够成为出色的高性能电源系统。
TPS51604-Q1 器件采用节省空间的耐热增强型 8 引脚 2mm x 2mm WSON 封装，工作温度范围为 -40°C 至 125°C。
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| * | 数据表 | TPS51604-Q1 汽车应用中用于高频 CPU 内核功率的同步降压场效应晶体管 (FET) 驱动器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2014-10-17 |
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设计与开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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