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TPIC6596

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用于增强级联、具有热关断功能的 8 位移位寄存器

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open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，但引脚排列有所不同
TLC6C598-Q1 正在供货 汽车类电源逻辑 8 位移位寄存器 LED 驱动器 Same output channel with smaller footprint and support lower supply voltage

TPIC6596

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产品详情

Number of channels 8 Topology Open drain Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 5.5 Vout (max) (V) 45 Features Enable/Shutdown, Thermal shutdown
Number of channels 8 Topology Open drain Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 5.5 Vout (max) (V) 45 Features Enable/Shutdown, Thermal shutdown
PDIP (N) 20 228.702 mm² 24.33 x 9.4 SOIC (DW) 20 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • 低 rDS(on)：1.3Ω（典型值）
  • 雪崩能量：75mJ
  • 250mA 连续电流的八个功率 DMOS 晶体管输出
  • 每个输出 1.5A 脉冲电流
  • 45V 时的输出钳位电压
  • 增强了多级级联，只需一次输入即可清零所有寄存器
  • 低功耗
  • 低 rDS(on)：1.3Ω（典型值）
  • 雪崩能量：75mJ
  • 250mA 连续电流的八个功率 DMOS 晶体管输出
  • 每个输出 1.5A 脉冲电流
  • 45V 时的输出钳位电压
  • 增强了多级级联，只需一次输入即可清零所有寄存器
  • 低功耗

TPIC6596 是一款单片、高压、高电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。

该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，器件中的所有寄存器都将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 下降沿时从器件时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这可为时钟信号有可能偏移、器件相距较远或系统必须容许电磁干扰的应用提供更佳的性能。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 45V，连续灌电流能力为 250mA。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。

提供单独的电源和逻辑电平接地引脚，有助于尽可能提高系统灵活性。引脚 1、10、11 和 20 在内部连接，每个引脚必须从外部连接到电源系统接地，以尽可能减小寄生电感。引脚 19 逻辑接地 (LGND) 以及引脚 1、10、11 和 20 电源接地 (PGND) 之间的单点连接必须在外部进行，以减少逻辑和负载电路之间的串扰。TPIC6596 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。

TPIC6596 是一款单片、高压、高电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。

该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，器件中的所有寄存器都将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 下降沿时从器件时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这可为时钟信号有可能偏移、器件相距较远或系统必须容许电磁干扰的应用提供更佳的性能。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 45V，连续灌电流能力为 250mA。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。

提供单独的电源和逻辑电平接地引脚，有助于尽可能提高系统灵活性。引脚 1、10、11 和 20 在内部连接，每个引脚必须从外部连接到电源系统接地，以尽可能减小寄生电感。引脚 19 逻辑接地 (LGND) 以及引脚 1、10、11 和 20 电源接地 (PGND) 之间的单点连接必须在外部进行，以减少逻辑和负载电路之间的串扰。TPIC6596 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。
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* 数据表 TPIC6596 电源逻辑 8 位移位寄存器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 3月 20日

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