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TPD2EUSB30A

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适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双路 0.7pF、3.6V、±8kV ESD 保护二极管

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Number of channels (#) 2 IO capacitance (Typ) (pF) 0.7 Vrwm (V) 3.6 IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) 8 IEC 61000-4-5 (A) 5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Dynamic resistance (Typ) (Ω) 0.6 Clamping voltage (V) 8 IO leakage current (Max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 85
Number of channels (#) 2 IO capacitance (Typ) (pF) 0.7 Vrwm (V) 3.6 IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) 8 IEC 61000-4-5 (A) 5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Dynamic resistance (Typ) (Ω) 0.6 Clamping voltage (V) 8 IO leakage current (Max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 85
SOT-9X3 (DRT) 3 1 mm² 1 x 1
  • 支持 USB 3.0 数据速率 (5Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD 保护（4 级接触式）
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 5A (8/20µs)
  • 低电容
    • DRT：0.7pF（典型值）
    • DQA：0.8pF（典型值）
  • 动态电阻：0.6Ω（典型值）
  • 节省空间的 DRT、DQA 封装
  • 直通引脚映射
  • 支持 USB 3.0 数据速率 (5Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD 保护（4 级接触式）
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 5A (8/20µs)
  • 低电容
    • DRT：0.7pF（典型值）
    • DQA：0.8pF（典型值）
  • 动态电阻：0.6Ω（典型值）
  • 节省空间的 DRT、DQA 封装
  • 直通引脚映射

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准（接触式）规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值。

TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。

TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准（接触式）规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值。

TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。

TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。
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设计和开发

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SLVM401.ZIP (2 KB) - IBIS Model
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