产品详情

Continuous current (max) (A) 75 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (Hz) 1000000 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 75 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (Hz) 1000000 Sensitivity error (%) 0.75 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 高持续电流能力:75 A RMS
  • 可靠的增强型隔离
    • 可承受的隔离电压:5000V RMS
    • 增强型工作电压:1100V DC
  • 高精度
    • 灵敏度误差: ±0.3%
    • 灵敏度漂移: ±20ppm/°C
    • 失调电压误差: ±1mV
    • 温漂 ±20µV/°C
    • 非线性: ±0.1%
  • 在产品使用寿命期间具有低漂移:±0.5%(最大值)
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 电源抑制比低:60dB
  • 信号带宽: 1MHz
  • 低传播延迟: 80ns
  • 快速过流检测响应:500ns
  • 工作电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流感应
  • 多个灵敏度选项:
    • TMCS1133x1A:25 mV/A
    • TMCS1133B8A:33 mV/A
    • TMCS1133x2A:50mV/A
    • TMCS1133x3A:75 mV/A
    • TMCS1133x4A:100mV/A
    • TMCS1133x5A:150 mV/A
  • 安全相关认证(计划)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1
  • 高持续电流能力:75 A RMS
  • 可靠的增强型隔离
    • 可承受的隔离电压:5000V RMS
    • 增强型工作电压:1100V DC
  • 高精度
    • 灵敏度误差: ±0.3%
    • 灵敏度漂移: ±20ppm/°C
    • 失调电压误差: ±1mV
    • 温漂 ±20µV/°C
    • 非线性: ±0.1%
  • 在产品使用寿命期间具有低漂移:±0.5%(最大值)
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 电源抑制比低:60dB
  • 信号带宽: 1MHz
  • 低传播延迟: 80ns
  • 快速过流检测响应:500ns
  • 工作电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流感应
  • 多个灵敏度选项:
    • TMCS1133x1A:25 mV/A
    • TMCS1133B8A:33 mV/A
    • TMCS1133x2A:50mV/A
    • TMCS1133x3A:75 mV/A
    • TMCS1133x4A:100mV/A
    • TMCS1133x5A:150 mV/A
  • 安全相关认证(计划)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1133 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内的最大总误差小于 2.5%,或在一次性室温校准(同时包括寿命和温度漂移)的情况下的最大总误差小于 1.5%。

交流或直流输入电流流经内部导体,所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A,同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5000V RMS,加上最小 8.1mm 的爬电距离和间隙,可提供高达 1100V DC 的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许 TMCS1133 使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

TMCS1133 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内的最大总误差小于 2.5%,或在一次性室温校准(同时包括寿命和温度漂移)的情况下的最大总误差小于 1.5%。

交流或直流输入电流流经内部导体,所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A,同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5000V RMS,加上最小 8.1mm 的爬电距离和间隙,可提供高达 1100V DC 的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许 TMCS1133 使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

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技术文档

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* 数据表 TMCS1133具有 ±1100V 增强型隔离工作电压、过流检测和环境磁场抑制功能的精密1MHz霍尔效应电流传感器 数据表 PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 10月 30日
证书 TMCS1133AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1133BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1133CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
应用简报 低漂移、高精度、直插式隔离磁性电机电流测量 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) 2023年 7月 31日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 适用于 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应电流传感器适配器卡(不包括 IC)

TMCS-A-ADAPTER-EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应精密电流检测监控器。此 EVM 支持用户通过霍尔输入侧推送高达 90A 的电流,同时通过隔离栅测量隔离式输出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一个未组装的 PCB,预留了用于组装测试点的位置和用于器件评估的分线接头引脚。PCB 焊盘采用重叠结构,因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能与 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

TMCS1133EVM — TMCS1133 隔离式霍尔效应电流检测监视器评估模块

TMCS1133EVM 评估模块 (EVM) 工具旨在实现 TMCS1133 的快速便捷应用,TMCS1133 是一款采用内部比例基准的隔离式霍尔效应精密电流检测监视器。此 EVM 支持用户在霍尔输入侧实施最大工作电流,同时通过增强型隔离栅测量隔离式输出。此固定装置布局并非作为目标电路的模型使用,也不针对电磁 (EMI) 测试进行布局。此 EVM 由单个印刷电路板 (PCB) 构成,可拆分为五个单独部分,支持用户测试单个静态点的所有灵敏度变化(A = 0.5Vs,B = 0.33Vs 或 C = 0.1Vs)。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
参考设计

PMP23338 — 具有电子计量功能的 3.6kW 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计

此参考设计是一款基于氮化镓 (GaN) 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 转换器,面向 M-CRPS 电源。此设计包含精度为 0.5% 的电子计量功能,无需使用外部电源计量 IC。该电源旨在支持 16A RMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。此功率级之后是一个小型升压转换器,这有助于显著缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 器件功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28003x C2000™ (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 下载
SOIC (DVG) 10 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频