TLE4275-Q1

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具有复位延迟功能的汽车级 450mA、非电池电源 (42V)、低压降稳压器

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Rating Automotive Vin (max) (V) 42 Vin (min) (V) 5.5 Iout (max) (A) 0.45 Output options Fixed Output Vout (max) (V) 5 Vout (min) (V) 5 Fixed output options (V) 5 PSRR at 100 KHz (dB) 27 Iq (typ) (mA) 5 Features Power good Thermal resistance θJA (°C/W) 33 Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 125
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TO-263 (KTT) 5 154.8384 mm² (10.16 mm × 15.24 mm) TO-252 (KVU) 5 66.726 mm² (6.6 mm × 10.11 mm) HTSSOP (PWP) 20 41.6 mm² (6.5 mm × 6.4 mm)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
    • 结温:–40°C 至 +150°C,TJ
  • 输入电压范围:
    • 旧芯片:5.5V 至 42V(绝对最大值 45V)
    • 新芯片:3.0V 至 40V(绝对最大值 42V)
  • 最大输出电流:
    • 旧芯片:450mA
    • 新芯片:500mA
  • 输出电压精度:±2.0%(线路、负载和温度范围)
  • 低压降:300mA 电流时为 500mV(最大值)
  • 低静态电流:
    • 旧芯片:IOUT = 1mA 时典型值为 100µA
    • 新芯片:IOUT = 1mA 时典型值为 28µA
  • 出色的线路瞬态响应(新芯片):
    • 冷启动时出现 ±2% VOUT 偏差
    • ±2% VOUT 偏差(VIN 压摆率 1V/µs)
  • 具有可编程延迟周期的电源正常状态(复位)指示
  • 与 2.2µF 或更高的电容器搭配使用时可保持稳定(新芯片)
  • 反极性保护(旧芯片)
  • 过流和过热保护
  • 封装:
    • 5 引脚 TO-252 (KVU)
    • 5 引脚 DDPAK/TO-263 (KTT)
    • 20 引脚 HTSSOP (PWP)(旧芯片)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
    • 结温:–40°C 至 +150°C,TJ
  • 输入电压范围:
    • 旧芯片:5.5V 至 42V(绝对最大值 45V)
    • 新芯片:3.0V 至 40V(绝对最大值 42V)
  • 最大输出电流:
    • 旧芯片:450mA
    • 新芯片:500mA
  • 输出电压精度:±2.0%(线路、负载和温度范围)
  • 低压降:300mA 电流时为 500mV(最大值)
  • 低静态电流:
    • 旧芯片:IOUT = 1mA 时典型值为 100µA
    • 新芯片:IOUT = 1mA 时典型值为 28µA
  • 出色的线路瞬态响应(新芯片):
    • 冷启动时出现 ±2% VOUT 偏差
    • ±2% VOUT 偏差(VIN 压摆率 1V/µs)
  • 具有可编程延迟周期的电源正常状态(复位)指示
  • 与 2.2µF 或更高的电容器搭配使用时可保持稳定(新芯片)
  • 反极性保护(旧芯片)
  • 过流和过热保护
  • 封装:
    • 5 引脚 TO-252 (KVU)
    • 5 引脚 DDPAK/TO-263 (KTT)
    • 20 引脚 HTSSOP (PWP)(旧芯片)

TLE4275-Q1 是一款低压降线性稳压器,专用于连接汽车应用中的电池。对于新芯片,此器件具有高达 40V 的输入电压范围,可驱动高达 500mA 的负载。因此可承受汽车系统可能发生的瞬变(如负载突降)。该器件在 IOUT = 1mA(新芯片)下的静态电流仅为 28µA,专为满足常开型元件供电需求而设计。待机系统中的微控制器 (MCU) 和控制器局域网 (CAN) 收发器就是此类元件的示例。

该器件的新芯片版本具有先进的瞬态响应,因此输出端可对负载或线路变化(例如,在冷启动条件下)作出迅速响应。此外,新芯片版本架构新颖,可在从电压跌落恢复过程中更大限度降低输出过冲幅度。正常运行时,该器件可在整个线路、负载和温度范围内维持 ±2.0% 的直流精度(新芯片)。

电源正常(复位)延迟是在外部电容器的延迟引脚上调整,因此可通过配置延迟时间来适应应用特定的系统。

该器件还包含多个内部电路,可提供过载和过热保护。旧芯片还提供反极性保护。旧芯片要求 COUT ≥ 22µF(支持的最大 ESR 范围为 ≤ 5Ω),而新芯片要求 COUT ≥ 2.2µF(支持的最大 ESR 范围为 ≤ 2Ω),在工作温度范围内。

TLE4275-Q1 是一款低压降线性稳压器,专用于连接汽车应用中的电池。对于新芯片,此器件具有高达 40V 的输入电压范围,可驱动高达 500mA 的负载。因此可承受汽车系统可能发生的瞬变(如负载突降)。该器件在 IOUT = 1mA(新芯片)下的静态电流仅为 28µA,专为满足常开型元件供电需求而设计。待机系统中的微控制器 (MCU) 和控制器局域网 (CAN) 收发器就是此类元件的示例。

该器件的新芯片版本具有先进的瞬态响应,因此输出端可对负载或线路变化(例如,在冷启动条件下)作出迅速响应。此外,新芯片版本架构新颖,可在从电压跌落恢复过程中更大限度降低输出过冲幅度。正常运行时,该器件可在整个线路、负载和温度范围内维持 ±2.0% 的直流精度(新芯片)。

电源正常(复位)延迟是在外部电容器的延迟引脚上调整,因此可通过配置延迟时间来适应应用特定的系统。

该器件还包含多个内部电路,可提供过载和过热保护。旧芯片还提供反极性保护。旧芯片要求 COUT ≥ 22µF(支持的最大 ESR 范围为 ≤ 5Ω),而新芯片要求 COUT ≥ 2.2µF(支持的最大 ESR 范围为 ≤ 2Ω),在工作温度范围内。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

MLTLDO2EVM-037 — 用于 DCY、DDA 和 KVU 封装的通用 LDO 线性稳压器评估模块

借助采用多种封装选项的 MLTLDO2EVM-037 低压降 (LDO) 评估模块 (EVM),设计工程师能评估可能用于其自身电路应用的线性稳压器采用多种常见封装时的运行情况和性能。这种 EVM 配置包含一个 DDA、3 引脚和 5 引脚 KVU 以及 DCY 封装,便于工程师焊接和评估部件。

用户指南: PDF
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有库存
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??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
TO-263 (KTT) 5 Ultra Librarian
TO-252 (KVU) 5 Ultra Librarian
HTSSOP (PWP) 20 Ultra Librarian

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