封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) 0 to 70 |
| 包装数量 | 包装 75 | TUBE |
TLE2021 的特性
- 电源电流：300µA，最大值
- 高单位带宽增益积：2MHz
- 高压摆率：0.65V/µs
- 指定用于 5V 单电源和 ±15V 操作
- 相位反转保护
- 高开环增益： 6.5V/µV (136dB)
- 低失调电压：100µV，最大值
- 低输入偏置电流：50nA，最大值
- 低噪声电压：19nV/√Hz
TLE2021 的说明
TLE2021、TLE2022 和 TLE2024 (TLE202x) 器件是采用全新德州仪器 (TI) 先进的新双极工艺的精密、高速、低功耗运算放大器。这些器件将 OP21 的出色特性与经过高度改进的转换率和单位增益带宽相结合。
互补双极性工艺使用隔离式垂直 pnp 晶体管，与类似器件相比，这些晶体管可以显著改善单位增益带宽和转换率。
将偏置电路的添加与此工艺处理结合，会使参数在时间和温度条件下变得极其稳定。因此，即使温度发生变化且使用年限不断增加，精密器件仍是精密器件。
这些器件出色的直流性能和包括负电源轨在内的共模输入电压范围于一体，非常适合采用单电源或拆分电源配置的低电平信号调节应用。此外，这些器件还提供相位反转保护电路，可在其中一个输入小于负电源轨时消除输出状态的意外变化。
多种可选型号包括适用于高密度系统应用的小外形封装和芯片载体版本。
后缀为 C 的器件在 0°C 至 70°C 的温度范围内运行。后缀为 I 的器件在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内运行。后缀为 M 的器件在 −55°C 至 +125°C 的完整军用温度范围内运行。