产品详细信息

Number of channels (#) 12 LED current per channel (mA) 50 LED configuration Parallel Program memory No Programmable ramp control No Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 5.5 Iout (Max) (A) 0.6 Features Direct PWM dimming, Serial interface Iq (Typ) (mA) 0.13 Shutdown current (Typ) (uA) 0.15 Operating temperature range (C) -40 to 105 Rating Catalog
Number of channels (#) 12 LED current per channel (mA) 50 LED configuration Parallel Program memory No Programmable ramp control No Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 5.5 Iout (Max) (A) 0.6 Features Direct PWM dimming, Serial interface Iq (Typ) (mA) 0.13 Shutdown current (Typ) (uA) 0.15 Operating temperature range (C) -40 to 105 Rating Catalog
TSSOP (PW) 20 29 mm² 6.5 x 4.4
  • 3V 至 5.5V 宽 VCC 范围
  • 40V 最大额定输出
  • 12 路功率双扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 晶体管输出:
    50mA 持续电流 (VCC = 5V) 或者
    200mA 脉宽调制 (PWM) 电流(单脉冲持续时间短于 1ms 且平均电流低于 50mAr
  • 热关断保护
  • 针对多级的增强型级联
  • 所有寄存器由单一输入清零
  • 低功耗
  • 缓慢开关时间(t 和 tf),非常有助于减少电磁干扰 (EMI)
  • 20 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP)-PW 封装

应用

  • 电器显示面板
  • 电梯显示面板
  • PLC 功能指示器
  • 七段显示器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 3V 至 5.5V 宽 VCC 范围
  • 40V 最大额定输出
  • 12 路功率双扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 晶体管输出:
    50mA 持续电流 (VCC = 5V) 或者
    200mA 脉宽调制 (PWM) 电流(单脉冲持续时间短于 1ms 且平均电流低于 50mAr
  • 热关断保护
  • 针对多级的增强型级联
  • 所有寄存器由单一输入清零
  • 低功耗
  • 缓慢开关时间(t 和 tf),非常有助于减少电磁干扰 (EMI)
  • 20 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP)-PW 封装

应用

  • 电器显示面板
  • 电梯显示面板
  • PLC 功能指示器
  • 七段显示器

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TLC6C5912 是一款单片、中等电压、低电流功率 12 位移位寄存器,专为负载功率要求相对适中的系统(例如 LED)而设计。

此器件包含一个 12 位串入、并出移位寄存器,此寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升边沿上发生。当移位寄存器清零(CLR) 为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲器 。一个CLR上的低电平将器件中的所有寄存器清零。将输出使能 (G) 保持为高电平将把输出缓冲器中的所有数据保存为低电平,并且所有漏极输出关闭。保持G为低电平将使得来自存储寄存器中的数据对于输出缓冲器不可见。

该器件包含一个 12 位串入并出移位寄存器。该寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。移位寄存器和存储寄存器各自具备独立时钟。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管输出:额定输出为 40V 及 50mA 持续灌电流或者 200mA PWM 电流(VCC = 5V 时,单脉冲持续时间短于 1ms 且平均电流低于 50mA)。该器件内置热关断保护,在人体模型和 200V 机器模型测试中可提供高达 2000V 的静电放电 (ESD) 保护。

TLC6C5912 的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 105°C。

TLC6C5912 是一款单片、中等电压、低电流功率 12 位移位寄存器,专为负载功率要求相对适中的系统(例如 LED)而设计。

此器件包含一个 12 位串入、并出移位寄存器,此寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升边沿上发生。当移位寄存器清零(CLR) 为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲器 。一个CLR上的低电平将器件中的所有寄存器清零。将输出使能 (G) 保持为高电平将把输出缓冲器中的所有数据保存为低电平,并且所有漏极输出关闭。保持G为低电平将使得来自存储寄存器中的数据对于输出缓冲器不可见。

该器件包含一个 12 位串入并出移位寄存器。该寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。移位寄存器和存储寄存器各自具备独立时钟。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管输出:额定输出为 40V 及 50mA 持续灌电流或者 200mA PWM 电流(VCC = 5V 时,单脉冲持续时间短于 1ms 且平均电流低于 50mA)。该器件内置热关断保护,在人体模型和 200V 机器模型测试中可提供高达 2000V 的静电放电 (ESD) 保护。

TLC6C5912 的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 105°C。

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设计和开发

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仿真模型

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