TLC27L2A

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双通道、16V、85kHz、低功耗(10μA/通道)、5mV 失调电压、输入接近 V- 的运算放大器

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功能优于所比较器件的普遍直接替代产品
TLV9142 正在供货 双通道、18V、125kHz、微功耗 (7μA)、低输入偏置电流 (0.5pA) RRIO 运算放大器 Rail-to-rail I/O, improved DC precision and better bandwidth to IQ ratio
功能与比较器件相同,且具有相同引脚
TLV9102 正在供货 双路、16V、1.1MHz、低功耗运算放大器 Rail-to-rail I/O, higher GBW (1.1 MHz), faster slew rate (4.5 V/us), lower offset voltage (1.5 mV), lower noise (30 nV/√Hz), higher output current (80 mA)

产品详情

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 16 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 0.085 Slew rate (typ) (V/µs) 0.03 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Iq per channel (typ) (mA) 0.01 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 68 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.1 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 94 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.03 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 16 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 3 Rail-to-rail In to V- GBW (typ) (MHz) 0.085 Slew rate (typ) (V/µs) 0.03 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Iq per channel (typ) (mA) 0.01 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 68 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Offset drift (typ) (µV/°C) 1.1 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 94 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.8 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.03 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2
PDIP (P) 8 92.5083 mm² 9.81 x 9.43 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOP (PS) 8 48.36 mm² 6.2 x 7.8
  • 输入偏移电压漂移:通常为 0.1µV/月,包括前 30 天
  • 在指定温度范围内具有宽电源电压范围:
    • 0°C 至 70°C:3V 至 16V
    • −40°C 至 +85°C:4V 至 16V
    • −55°C 至 +125°C:4V 至 16V
  • 单电源供电
  • 共模输入电压范围扩展至负电源导轨以下(C 后缀和 I 后缀类型)
  • 超低功耗:25°C 下为 95µW(典型值)、VDD = 5V
  • 输出电压范围包括负电源导轨
  • 高输入阻抗:1012Ω(典型值)
  • ESD 保护电路
  • 也提供采用卷带包装的小外形封装选项
  • 内置闩锁效应抑制功能
  • 输入偏移电压漂移:通常为 0.1µV/月,包括前 30 天
  • 在指定温度范围内具有宽电源电压范围:
    • 0°C 至 70°C:3V 至 16V
    • −40°C 至 +85°C:4V 至 16V
    • −55°C 至 +125°C:4V 至 16V
  • 单电源供电
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  • 超低功耗:25°C 下为 95µW(典型值)、VDD = 5V
  • 输出电压范围包括负电源导轨
  • 高输入阻抗:1012Ω(典型值)
  • ESD 保护电路
  • 也提供采用卷带包装的小外形封装选项
  • 内置闩锁效应抑制功能

TLC27L2x 和 TLC27L7 双通道运算放大器将各种输入偏移电压等级、低偏移电压漂移、高输入阻抗、超低功耗和高增益集于一身。这些器件采用德州仪器 (TI) 的硅栅 LinCMOS™ 技术,提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺。

提供四个偏移电压等级(C 后缀和 I 后缀类型),范围从低成本 TLC27L2 (10mV) 到高精度 TLC27L7 (1000µV)。这些器件具有极高的输入阻抗和低偏置电流、良好的共模抑制和电源电压抑制以及低功耗,非常适合用于全新的先进设计以及升级现有设计。

一般而言,LinCMOS 运算放大器具有许多与双极技术相关的功能,而不存在双极技术的功率损耗。一般应用(如传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲)都使用 TLC27Lx 轻松进行设计。这些器件还具有低电压、单电源供电的特性,因此它们非常适用于无法触及的远程电池供电应用。共模输入电压范围包括负电源导轨。

TLC27Lx 包含内部 ESD 保护电路,可防止在高达 2000V 的电压(根据 MIL-STD-883C 方法 3015.2 测得)下发生功能故障。在处理这些器件时必须小心,因为接触 ESD 可能导致器件参数性能下降。

C 后缀器件在 0°C 至 70°C 的温度范围内运行。I 后缀器件在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内运行。M 后缀器件覆盖 −55°C 至 +125°C 的完整军用温度范围。

TLC27L2x 和 TLC27L7 双通道运算放大器将各种输入偏移电压等级、低偏移电压漂移、高输入阻抗、超低功耗和高增益集于一身。这些器件采用德州仪器 (TI) 的硅栅 LinCMOS™ 技术,提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺。

提供四个偏移电压等级(C 后缀和 I 后缀类型),范围从低成本 TLC27L2 (10mV) 到高精度 TLC27L7 (1000µV)。这些器件具有极高的输入阻抗和低偏置电流、良好的共模抑制和电源电压抑制以及低功耗,非常适合用于全新的先进设计以及升级现有设计。

一般而言,LinCMOS 运算放大器具有许多与双极技术相关的功能,而不存在双极技术的功率损耗。一般应用(如传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲)都使用 TLC27Lx 轻松进行设计。这些器件还具有低电压、单电源供电的特性,因此它们非常适用于无法触及的远程电池供电应用。共模输入电压范围包括负电源导轨。

TLC27Lx 包含内部 ESD 保护电路,可防止在高达 2000V 的电压(根据 MIL-STD-883C 方法 3015.2 测得)下发生功能故障。在处理这些器件时必须小心,因为接触 ESD 可能导致器件参数性能下降。

C 后缀器件在 0°C 至 70°C 的温度范围内运行。I 后缀器件在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内运行。M 后缀器件覆盖 −55°C 至 +125°C 的完整军用温度范围。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TLC27Lx 精确双通道运算放大器 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2025年 10月 6日
* 勘误表 Errata for TLC27L2/2A/2B/L7 Data Sheet SLOS052D: Error in Figure 44 2011年 3月 18日

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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