封装信息
| 封装 | 引脚 HTSSOP (DFD) | 56 |
| 工作温度范围 (°C) 0 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
TAS5755M 的特性
- 解决方案尺寸更小
- 支持单芯片 2.1、2.0 和单声道模式
- 单声道 (PBTL) 模式采用单滤波器。
- 焊盘朝上封装和 80mΩ RDSON 增强热性能
- 支持高输出功率：
- 2.1 模式
可提供 2 × 19W +1 × 50W 的输出功率（2 × 4Ω + 1 × 6Ω，24V） - 2.0 模式可提供 2 × 50W 的输出功率（2 × 6Ω，24V）
- 单声道模式可提供 1 × 100W 的输出功率（1 × 2Ω，24V）
- 宽电源电压范围：8V 至 26.4V
- 2.1 模式
- 音频性能：
- 频率为 1kHz 时，THD+N ≤ 0.05%（RSPK = 8Ω，POUT = 1W，PVDD = 18V）
- ICN ≤ 50µVRMS
- 串扰 ≤ - 67dB
- SNR ≥ 104dB
- 提供 BD 调制功能，提高音频性能和效率。
- 集成式音频处理：
- 2 × 8 + 1 × 2 双二阶滤波器
- 双频带 + 单频带可配置动态范围控制 (DRC)
- 免许可证的 3D 音效
- 信号混合和直流阻断滤波器
- 自动速率检测
- 集成式自保护
- 热保护
- 过流限制保护
- 欠压保护
TAS5755M 的说明
TAS5755M 是具有集成式处理功能的单芯片灵活数字音频解决方案，支持 2.1（2 个扬声器 + 1 个低音炮）、2.0 或立体声（2 个扬声器）和单声道（高功率扬声器）模式。
该器件具有高效率，RDSON 低至 80mΩ，并且采用焊盘朝上封装，输出功率高达 2 × 50W 或 1 × 100W。
TAS5755M 的立体声模式中的每个通道都使用 2 个全 H 桥。在 2.1 模式中，TAS5755M 使用 2 个半桥驱动 2 个独立的扬声器通道，同时使用 1 个全桥驱动低音炮。此外，在单声道模式中，TAS5755M 使用单级滤波器支持预滤波并联桥接式负载 (PBTL)，减少了系统总尺寸并降低了成本。
TAS5755M 具有集成式音频处理功能。它包括：信号混合、直流阻断滤波器、2 × 8 + 1 × 2 双二阶滤波器，从而实现均衡。通过双频带对数式 DRC 和用于低音炮通道的单独单频带 DRC 实现功率限制。