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Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 7.5 CON (typ) (pF) 13 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 300 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 50 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 7.5 CON (typ) (pF) 13 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 300 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 50 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
DSBGA (YZP) 5 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 5 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1 USON (DRY) 6 1.45 mm² 1.45 x 1 X2SON (DSF) 6 1 mm² 1 x 1
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ Package
  • 1.65-V to 5.5-V VCC Operation
  • Inputs Accept Voltages to 5.5 V
  • Max tpd of 0.8 ns at 3.3 V
  • High On-Off Output Voltage Ratio
  • High Degree of Linearity
  • High Speed, Typically 0.5 ns (VCC = 3 V,
    CL = 50 pF)
  • Low ON-State Resistance, Typically ≉5.5 Ω (VCC = 4.5 V)
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ Package
  • 1.65-V to 5.5-V VCC Operation
  • Inputs Accept Voltages to 5.5 V
  • Max tpd of 0.8 ns at 3.3 V
  • High On-Off Output Voltage Ratio
  • High Degree of Linearity
  • High Speed, Typically 0.5 ns (VCC = 3 V,
    CL = 50 pF)
  • Low ON-State Resistance, Typically ≉5.5 Ω (VCC = 4.5 V)
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Protection Exceeds JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-A)
    • 200-V Machine Model (A115-A)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)

This single analog switch is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.

The SN74LVC1G66 device can handle analog and digital signals. The device permits bidirectional transmission of signals with amplitudes of up to 5.5 V (peak).

NanoFree package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.

This single analog switch is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.

The SN74LVC1G66 device can handle analog and digital signals. The device permits bidirectional transmission of signals with amplitudes of up to 5.5 V (peak).

NanoFree package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
  • DCK(SC70-6 和 SC70-5)
  • DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
接口适配器

LEADLESS-ADAPTER1 — 用于测试 TI 6、8、10、12、14、16 和 20 引脚无引线封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADLESS1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间,可将 TI 的 DRC、DTP、DQE、RBW、RGY、RSE、RSV、RSW、RTE、RTJ、RUK、RUC、RUG、RUM、RUT 和 YZP 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

HSPICE MODEL OF SN74LVC1G66

SCEJ198.ZIP (87 KB) - HSpice Model
仿真模型

SN74LVC1G66 IBIS Model (Rev. B)

SCEM332B.ZIP (34 KB) - IBIS Model
参考设计

TIDA-010941 — 具有环境光消除功能、用于烟雾探测的智能模拟传感器接口参考设计

此参考设计提供了一种 BOM 成本较低的烟雾探测器设计,该设计通过了 UL217 第 9 版灵敏度和防火室测试。通过使用基于调制的光电架构,此参考设计能够对环境光实现高阻隔,适用于腔体或无腔烟雾探测。此设计还具有较高的信号链信噪比,有助于实现强大的算法,以减少烟雾探测器应用和空气质量检测应用中微粒检测的误报。此设计使用 MSPM0L1306 微控制器的低功耗模式,使用 9V 碱性电池可实现 10 年的电池寿命。
设计指南: PDF
封装 引脚 下载
DSBGA (YZP) 5 查看选项
SOT-23 (DBV) 5 查看选项
SOT-5X3 (DRL) 5 查看选项
SOT-SC70 (DCK) 5 查看选项
USON (DRY) 6 查看选项
X2SON (DSF) 6 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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