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Configuration 1:1 SPST Number of channels 24 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 10 Supply current (typ) (µA) 1000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 24 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 10 Supply current (typ) (µA) 1000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SSOP (DL) 56 190.647 mm² 18.42 x 10.35 TSSOP (DGG) 56 113.4 mm² 14 x 8.1 TVSOP (DGV) 56 72.32 mm² 11.3 x 6.4
  • 德州仪器 (TI) Widebus 系列产品
  • 高带宽数据路径(高达 500MHz(1)
  • 可耐受 5V 电压并支持器件上电或断电的 I/O
  • 在运行范围内具有平缓的低通态电阻 (ron) 特性 (ron 典型值 = 5Ω)
  • 支持在数据 I/O 端口进行轨到轨开关
    • 3.3V VCC 时,开关范围为 0V 至 5V
    • 2.5V VCC 时,开关范围为 0V 至 3.3V
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真 (Cio(OFF) 典型值 = 4pF)
  • 快速开关频率(f OE 最大值 = 20MHz)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 典型值 = 1mA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型 (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 支持数字和模拟应用:PCI 接口、差分信号接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控(1)

(1)有关 CB3Q 系列性能特性的其他信息,请参阅 TI 应用报告 CBT-C、CB3T 和 CB3Q 信号开关系列

  • 德州仪器 (TI) Widebus 系列产品
  • 高带宽数据路径(高达 500MHz(1)
  • 可耐受 5V 电压并支持器件上电或断电的 I/O
  • 在运行范围内具有平缓的低通态电阻 (ron) 特性 (ron 典型值 = 5Ω)
  • 支持在数据 I/O 端口进行轨到轨开关
    • 3.3V VCC 时,开关范围为 0V 至 5V
    • 2.5V VCC 时,开关范围为 0V 至 3.3V
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真 (Cio(OFF) 典型值 = 4pF)
  • 快速开关频率(f OE 最大值 = 20MHz)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 典型值 = 1mA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型 (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 支持数字和模拟应用:PCI 接口、差分信号接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控(1)

(1)有关 CB3Q 系列性能特性的其他信息,请参阅 TI 应用报告 CBT-C、CB3T 和 CB3Q 信号开关系列

SN74CB3Q16211 器件是一款高带宽 FET 总线开关,此开关利用一个电荷泵来提升传输晶体管的栅极电压,从而提供一个平缓的低通态电阻 (ron)。平缓的低通态电阻可实现超小的传播延迟,并且支持在数据输入/输出 (I/O) 端口上进行轨到轨开关。该器件还具有低的数据 I/O 电容,以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。SN74CB3Q16211 器件专为支持高带宽应用而设计,提供优化的接口解决方案,非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。

SN74CB3Q16211 器件配置为两个具有独立输出使能(1 OE、2 OE)输入的 12 位总线开关。它即可用作 24 个 12 位总线开关,也可用作 1 个 2 位总线开关。当 OE 为低电平时,相关 12 位总线开关打开,并且 A 端口被连接至 B 端口,从而实现两个端口之间的双向数据流。当 OE 为高电平时,相关 12 位总线开关关闭,并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。

该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。Ioff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC;该电阻器的最小值由驱动器的电流灌入能力来决定。

SN74CB3Q16211 器件是一款高带宽 FET 总线开关,此开关利用一个电荷泵来提升传输晶体管的栅极电压,从而提供一个平缓的低通态电阻 (ron)。平缓的低通态电阻可实现超小的传播延迟,并且支持在数据输入/输出 (I/O) 端口上进行轨到轨开关。该器件还具有低的数据 I/O 电容,以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。SN74CB3Q16211 器件专为支持高带宽应用而设计,提供优化的接口解决方案,非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。

SN74CB3Q16211 器件配置为两个具有独立输出使能(1 OE、2 OE)输入的 12 位总线开关。它即可用作 24 个 12 位总线开关,也可用作 1 个 2 位总线开关。当 OE 为低电平时,相关 12 位总线开关打开,并且 A 端口被连接至 B 端口,从而实现两个端口之间的双向数据流。当 OE 为高电平时,相关 12 位总线开关关闭,并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。

该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。Ioff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC;该电阻器的最小值由驱动器的电流灌入能力来决定。

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应用手册 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用户指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
应用手册 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

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仿真模型

SN74CB3Q16211 HSpice Model

SCDM144.ZIP (133 KB) - HSpice Model
仿真模型

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SCDM073.ZIP (27 KB) - IBIS Model
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订购和质量

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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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