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SN74AUP1G00

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单路 1 输入、0.8V 至 3.6V 低功耗与非门

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产品详情

Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family AUP Supply voltage (min) (V) 0.8 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 1 Inputs per channel 1 IOL (max) (mA) 4 IOH (max) (mA) -4 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Over-voltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Very high speed (tpd 5-10ns) Data rate (max) (Mbps) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YFP) 6 1.4000000000000001 mm² 1 x 1.4000000000000001 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 5 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1 USON (DRY) 6 1.45 mm² 1.45 x 1 X2SON (DPW) 5 0.64 mm² 0.8 x 0.8 X2SON (DSF) 6 1 mm² 1 x 1
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Available in the Ultra Small 0.64 mm2 Package (DPW) with 0.5-mm Pitch
  • Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 µA Max)
  • Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4 pF Typical at 3.3 V)
  • Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typical)
  • Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
  • Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down Mode, and Back-Drive Protection
  • Input Hysteresis Allows Slow Input Transition and Better Switching Noise Immunity at Input (Vhys = 250 mV Typical at 3.3 V)
  • Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
  • Optimized for 3.3-V Operation
  • 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
  • tpd = 4.8 ns Maximum at 3.3 V
  • Suitable for Point-to-Point Applications
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.

This single 2-input positive-NAND gate performs the Boolean function Y = A × B or Y = A + B in positive logic.
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑评估模块

灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

HALL-TRIGGER-EVM — 适用于非接触式霍尔效应变速触发器、具有外部磁场保护的评估模块

此评估模块 (EVM) 使用霍尔效应传感器，实现了一种可根据按压位移提供不同电压输出的触发器。与以前的机械式触发器相比，EVM 采用非接触式方法来减少磨损，从而延长产品寿命。低功耗霍尔效应开关与负载开关一起使用，可在未按压触发器时使系统处于低功耗待机模式。此外，当存在强大的外部磁场时，可选的磁场保护特性可帮助禁用电压输出。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

SN74AUP1G00 Behavioral SPICE Model

SCEM695.ZIP (7 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

SN74AUP1G00 IBIS Model (Rev. A)

SCEM461A.ZIP (64 KB) - IBIS Model
下载
参考设计

TIDA-00570 — 用于工业 3D 打印和数字平板印刷的高速 DLP 子系统参考设计

高速 DLP® 子系统参考设计提供系统级 DLP 开发板设计，适用于需要高分辨率、超高速度和生产可靠性的工业数字平版印刷术和 3D 打印应用。该系统设计通过集成最高分辨率的 DLP 数字微镜器件 DLP9000X 和最快的数字控制器 DLPC910 来提供最大的吞吐量。这种组合具有超过 400 万个微镜（WQXGA 分辨率），从而能实现超过 60 千兆比特每秒 (Gbps) 的连续流数据速率。DLPC910 数字控制器还为设计人员提供先进的像素控制，除了可以进行全帧输入，还可以进行随机行寻址。这一增加的灵活性支持各种架构，适用于工业、医疗、安全、电信和仪表等应用。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-060032 — 具有外部磁场保护的非接触式霍尔效应变速触发器参考设计

该参考设计使用霍尔效应传感器，实现了一种可根据按压位移提供不同电压输出的触发器。这些类型的触发器在无绳电动工具或任何其他使用触发器位移信息的终端设备中很有用。

与以前的机械式触发器相比，该设计采用非接触式方法来减少磨损，从而延长产品寿命。低功耗霍尔效应开关与负载开关一起使用，可在未按压触发器时使系统处于低功耗待机模式。此外，当存在强大的外部磁场时，可选的磁场保护特性可帮助禁用电压输出。

设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
DSBGA (YFP) 6 查看选项
SOT-23 (DBV) 5 查看选项
SOT-5X3 (DRL) 5 查看选项
SOT-SC70 (DCK) 5 查看选项
USON (DRY) 6 查看选项
X2SON (DPW) 5 查看选项
X2SON (DSF) 6 查看选项
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频