封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
LM2103 的特性
- 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
- 8-V GVDD 上的典型欠压锁定
- BST 上的最大绝对电压为 107V
- SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
- 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
- 典型固定内部死区时间为 475ns
- 内置跨导保护
- 115ns 典型传播延迟
- 反相输入引脚 INL
LM2103 的说明
LM2103 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 INL 反相输入允许在双路或单路 PWM 输入应用中使用驱动器。
SH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2103 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。