封装信息
| 封装 | 引脚 SOT-23 (DBV) | 5 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R |
JFE150 的特性
- 超低噪声：
- 电压噪声：
- 1kHz 时为 0.8nV/√ Hz，I DS = 5mA
- 1kHz 时为 0.9nV/√ Hz，I DS = 2mA
- 电流噪声：1 kHz 时为 1.8fA/√ Hz
- 电压噪声：
- 低栅极电流：10 pA（最大值）
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低输入电容：V DS = 5V 时为 24pF
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高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V
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高跨导：68mS
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封装：小型 SC70 和 SOT-23
JFE150 的说明
JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供出色的噪声功率效率和灵活性，静态电流可由用户设置，并为 50µA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5mA 时，该器件会产生 0.8nV/√ Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE150 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 + 125°C，并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70 封装。