JFE150
- 超低噪声:
- 电压噪声:
- 1kHz 时为 0.8nV/√ Hz,I DS = 5mA
- 1kHz 时为 0.9nV/√ Hz,I DS = 2mA
- 电流噪声:1 kHz 时为 1.8fA/√ Hz
- 电压噪声:
- 低栅极电流:10 pA(最大值)
-
低输入电容:V DS = 5V 时为 24pF
-
高栅漏电压和栅源击穿电压:-40 V
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高跨导:68mS
-
封装:小型 SC70 和 SOT-23
JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供出色的噪声功率效率和灵活性,静态电流可由用户设置,并为 50µA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5mA 时,该器件会产生 0.8nV/√ Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE150 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 + 125°C,并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70 封装。
技术文档
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查看全部 4 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | JFE150 超低噪音、低栅极电流、音频、N 通道 JFET 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 5月 9日 |
用户指南 | JFE150EVM 用户指南 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 5月 23日 | |
证书 | JFE150EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022年 2月 28日 | ||||
应用手册 | JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp | PDF | HTML | 2021年 10月 6日 |
设计和开发
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评估板
DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块
借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
- DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
- DCK(SC70-6 和 SC70-5)
- DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
仿真模型
JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier PSpice Reference Circuit
SLPM353.ZIP (140 KB) - PSpice Model
仿真模型
JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier TINA-TI Reference Circuit
SLPM352.ZIP (15 KB) - TINA-TI Reference Design
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
SOT-SC70 (DCK) | 5 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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