产品详情

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.8 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) -1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.8 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) -1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1
  • 超低噪声:
    • 电压噪声:
      • 1kHz 时为 0.8nV/√ Hz,I DS = 5mA
      • 1kHz 时为 0.9nV/√ Hz,I DS = 2mA
    • 电流噪声:1 kHz 时为 1.8fA/√ Hz
  • 低栅极电流:10 pA(最大值)
  • 低输入电容:V DS = 5V 时为 24pF

  • 高栅漏电压和栅源击穿电压:-40 V

  • 高跨导:68mS

  • 封装:小型 SC70 和 SOT-23

  • 超低噪声:
    • 电压噪声:
      • 1kHz 时为 0.8nV/√ Hz,I DS = 5mA
      • 1kHz 时为 0.9nV/√ Hz,I DS = 2mA
    • 电流噪声:1 kHz 时为 1.8fA/√ Hz
  • 低栅极电流:10 pA(最大值)
  • 低输入电容:V DS = 5V 时为 24pF

  • 高栅漏电压和栅源击穿电压:-40 V

  • 高跨导:68mS

  • 封装:小型 SC70 和 SOT-23

JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供出色的噪声功率效率和灵活性,静态电流可由用户设置,并为 50µA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5mA 时,该器件会产生 0.8nV/√ Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE150 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 + 125°C,并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70 封装。

JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供出色的噪声功率效率和灵活性,静态电流可由用户设置,并为 50µA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5mA 时,该器件会产生 0.8nV/√ Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE150 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 + 125°C,并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70 封装。

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用户指南 JFE150EVM 用户指南 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 5月 23日
证书 JFE150EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 2月 28日
应用手册 JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp PDF | HTML 2021年 10月 6日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
  • DCK(SC70-6 和 SC70-5)
  • DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

JFE150EVM — JFE150 超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET 评估模块

JFE150 评估模块 (EVM) 旨在对 JFE150 进行基本功能评估。该 EVM 采用闭环前置放大器配置,由单个 12V 电源供电,提供 60dB 增益。用户可以对各种电路配置进行修改。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

JFE150 PSpice Model (Rev. I)

SLPM349I.ZIP (44 KB) - PSpice Model
仿真模型

JFE150 PSpice Transient Reference Design Model

SLPM358.ZIP (66 KB) - PSpice Model
仿真模型

JFE150 SPICE Model (Generic)

SLPM366.ZIP (4 KB) - TISpice Model
仿真模型

JFE150 TINA-TI Reference Design (Rev. B)

SLPM351B.ZIP (24 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

JFE150 TINA-TI Spice Model (Rev. B)

SLPM350B.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier TINA-TI Reference Circuit

SLPM352.ZIP (15 KB) - TINA-TI Reference Design
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 5 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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