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ISOS510-SEP

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采用增强型航天塑料封装、具有模拟行为的耐辐射晶体管输出光耦仿真器

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ISOS510-SEP

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产品详情

Rating Space Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (µs) 3.5, 5.7 Turnoff time (disable) (µs) 3.6, 8, 10 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
Rating Space Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (µs) 3.5, 5.7 Turnoff time (disable) (µs) 3.6, 8, 10 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
SOIC (DFG) 4 24.57 mm² 3.51 x 7
  • 辐射性能
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值（无 ELDRS）高达 50krad(Si)
    • TID RLAT 高达 30krad(Si)
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • 单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子瞬变 (SET) 对于 LET 的额定值高达 43MeV-cm2/mg
  • 增强型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
    • 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
  • 单通道二极管输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR)：100% 至 155%
  • 高集电极-发射极电压：VCE（最大值）= 30V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级：3750VRMS
    • 工作电压：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：高达 10kV
  • 响应时间：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs（典型值）
  • 小型 4 引脚封装 (DFG)
  • 安全相关认证：
    • UL 1577 认证
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准进行的认证
  • 辐射性能
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值（无 ELDRS）高达 50krad(Si)
    • TID RLAT 高达 30krad(Si)
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg
    • 单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子瞬变 (SET) 对于 LET 的额定值高达 43MeV-cm2/mg
  • 增强型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
    • 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
  • 单通道二极管输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR)：100% 至 155%
  • 高集电极-发射极电压：VCE（最大值）= 30V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级：3750VRMS
    • 工作电压：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：高达 10kV
  • 响应时间：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs（典型值）
  • 小型 4 引脚封装 (DFG)
  • 安全相关认证：
    • UL 1577 认证
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准进行的认证

ISOS510 抗辐射 器件是一款具有晶体管输出的单通道电流驱动模拟隔离器。与其他电流驱动型模拟隔离器相比，该器件具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的电流传输比 (CTR)，以及因严格的工艺控制而实现的极小器件间偏差。这些性能优势可在整个辐射、温度和使用寿命范围内保持稳定。

ISOS510 采用引脚间距为 2.54mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3.75kVRMS 隔离额定值。ISOS510 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于航空航天和国防应用，例如隔离式直流/直流模块中的反馈环路、卫星推进电源处理单元、航天器电池管理系统等。

ISOS510 抗辐射 器件是一款具有晶体管输出的单通道电流驱动模拟隔离器。与其他电流驱动型模拟隔离器相比，该器件具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的电流传输比 (CTR)，以及因严格的工艺控制而实现的极小器件间偏差。这些性能优势可在整个辐射、温度和使用寿命范围内保持稳定。

ISOS510 采用引脚间距为 2.54mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3.75kVRMS 隔离额定值。ISOS510 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于航空航天和国防应用，例如隔离式直流/直流模块中的反馈环路、卫星推进电源处理单元、航天器电池管理系统等。
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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 ISOS510-SEP 具有晶体管输出的 抗 辐射电流驱动模拟隔离器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 8月 19日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

ISOM-EVM — 通用光耦仿真器评估模块

ISOM-EVM 支持评估采用 5 引脚 DFF、4 引脚 DFG、4 引脚 DFH 和 4 引脚 DFS SOIC 封装的 TI 光耦仿真器。通过更改 EVM 配置和元件值，可以重新配置该评估模块 (EVM)，以对不同的光耦仿真器、不同的输入信号或其他应用进行评估。该 EVM 没有在电路板上安装光耦仿真器 IC，允许用户安装自己选择的兼容 IC。用户可以将电路板分为三个单独的单元来单独测试印刷电路板。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DFG) 4 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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