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Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 115 Control mode Independent 1/2-Bridge Control interface Hardware (GPIO) Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 115 Control mode Independent 1/2-Bridge Control interface Hardware (GPIO) Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 100V H 桥栅极驱动器
    • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 栅极驱动器电源 (GVDD):5-20V
    • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
  • 集成自举二极管
  • 支持反相和同相 INLx 输入(QFN 封装)
  • 自举栅极驱动架构
    • 750mA 拉电流
    • 1.5A 灌电流
  • 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
  • SHx 引脚具有低漏电流(小于 55µA)
  • 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
  • 针对 QFN 封装,可通过 DT 引脚调节死区时间

  • 针对 TSSOP 封装,固定插入 200ns 死区时间
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入(绝对最大值为 20V)
  • 4ns 典型传播延迟匹配
  • 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装和尺寸
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • BST 欠压锁定 (BSTUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)
  • 100V H 桥栅极驱动器
    • 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
    • 栅极驱动器电源 (GVDD):5-20V
    • MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
  • 集成自举二极管
  • 支持反相和同相 INLx 输入(QFN 封装)
  • 自举栅极驱动架构
    • 750mA 拉电流
    • 1.5A 灌电流
  • 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
  • SHx 引脚具有低漏电流(小于 55µA)
  • 绝对最大 BSTx 电压高达 115V
  • SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
  • 针对 QFN 封装,可通过 DT 引脚调节死区时间

  • 针对 TSSOP 封装,固定插入 200ns 死区时间
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入(绝对最大值为 20V)
  • 4ns 典型传播延迟匹配
  • 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装和尺寸
  • 具有电源块的高效系统设计
  • 集成保护特性
    • BST 欠压锁定 (BSTUV)
    • GVDD 欠压 (GVDDUV)

DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。在 GVDD 驱动低侧 MOSFET 栅极的同时,集成式自举二极管和外部电容器可为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动拉电流和 1.5A 的栅极驱动灌电流。

栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx 相位引脚能够承受显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源的 BSTx 和 GHx 引脚可承受更高的正电压瞬变(绝对最大值为 115V)。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。在 GVDD 驱动低侧 MOSFET 栅极的同时,集成式自举二极管和外部电容器可为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的栅极驱动拉电流和 1.5A 的栅极驱动灌电流。

栅极驱动引脚的高电压容差提高了系统鲁棒性。SHx 相位引脚能够承受显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源的 BSTx 和 GHx 引脚可承受更高的正电压瞬变(绝对最大值为 115V)。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 DRV8770:100V 有刷直流栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 3月 16日
用户指南 DRV8770 100-V Gate Driver Evaluation Module PDF | HTML 2021年 9月 29日
证书 DRV8770EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2021年 8月 16日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DRV8770EVM — DRV8770 100V 栅极驱动器评估模块

DRV8770 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8770 器件。

DRV8770 器件具有两个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8770 具有保护功能,例如 BST 欠压锁定、GVDD 欠压和热关断。

EVM 具有板载降压转换器和 LDO,可为所有板载元件供电,还能为 H 桥高侧供电。EVM 配备了电位器,可用于设置输入控制引脚(INHA、INLA、INHB、INLB)的占空比。可修改 EVM 以支持外部微控制器,控制 DRV8770 电机驱动器。

用户指南: PDF | HTML
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封装 引脚 下载
VQFN (RGE) 24 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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