DRV3263-Q1
- 适用于汽车应用的 AEC-Q100 测试指导
- 器件环境温度：-40°C 至 +150°C
- 符合功能安全标准
- 专为功能安全应用开发
- 在发布量产版本时将会提供有助于进行 ISO 26262 系统设计的文档
- 系统可满足 ASIL D 等级要求
- 三相半桥栅极驱动器
- 驱动六个 N 通道 MOSFET (NMOS)
- 8V 至 85V 宽工作电压范围
- 适用于高侧栅极驱动器的自举架构
- 50mA 平均栅极开关电流，能够以 20kHz 的频率驱动 400nC MOSFET
- 涓流电荷泵可支持 100% PWM 占空比并产生过驱电源
- 截止驱动器
- 驱动多种拓扑中的 N 通道 MOSFET 截止开关
- 两个 SPI 可控通道 (DRV3263A) 或
- 一个具有 SPI 或 HW 引脚控制的通道 (DRV3263B)
- 智能栅极驱动架构
- 高达 1000/2000mA（拉电流/灌电流）的 15 级可配置峰值栅极驱动电流
- 可独立配置的预充电和预放电区域
- 可配置的软关断可在过流关断期间更大限度地降低电感电压尖峰
- 低侧电流检测放大器
- 在整个温度范围内具有低于 1mV 的低输入失调电压
- 8 级可调增益
- 基于 SPI 的详细配置和诊断功能，通过 OTP 存储器存储默认配置设置
- DRVOFF 独立驱动器禁用引脚
- 高压唤醒引脚 (nSLEEP)
- 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 集成保护功能
- 电池和电源电压监测器
- MOSFET VDS 和 Rsense 过电流监测器
- MOSFET VGS 栅极故障监测器
- 模拟内置自检 (ABIST)
- 器件热警告和热关断
- 故障状态指示引脚
DRV3263-Q1 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于 48V 汽车类三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV3263-Q1 使用外部 12V 电源和集成式自举二极管为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。涓流电荷泵使栅极驱动器能够支持 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压，这些开关可以通过专用的关断驱动器引脚进行控制。
DRV3263-Q1 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压和低增益误差使系统能够实现精确的电机电流测量。
DRV3263-Q1 集成了各种诊断和保护功能，这使得电机驱动系统的设计更加稳健，并减少了外部元件的数量。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。
技术文档
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查看全部 2 | 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
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| * | 数据表 | 具有集成截止驱动器的 DRV3263-Q1 48V 电池三相栅极驱动器单元 数据表 | PDF | HTML | 2026年 3月 27日 | ||
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计与开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RGZ) | 48 | Ultra Librarian |
订购和质量
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