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CSD95372BQ5M

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60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

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产品详情

Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Diode emulation mode with FCCM, Integrated current sense, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -55 to 150
Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Diode emulation mode with FCCM, Integrated current sense, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -55 to 150
LSON-CLIP (DQP) 12 30 mm² 6 x 5
  • 60A 持续运行电流能力
  • 电流 30A 时，系统效率达到 93.4%
  • 电流 30A 时，2.8W 低功率损耗
  • 高频运行（高达 1.25MHz）
  • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感测
  • 模拟温度输出（0°C 时 600mV）
  • 故障监控
    • 高端短路、过流和过热保护
  • 输入电压高达 14.5V
  • 与 3.3 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 针对击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 双冷却封装
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层
  • 无卤素

应用范围

  • 多相位同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高电流、低占空比应用
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
  • 内存和图形卡
  • 台式机和服务器 VR11.x / VR12.x V 内核和存储器同步转换器
  • 60A 持续运行电流能力
  • 电流 30A 时，系统效率达到 93.4%
  • 电流 30A 时，2.8W 低功率损耗
  • 高频运行（高达 1.25MHz）
  • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感测
  • 模拟温度输出（0°C 时 600mV）
  • 故障监控
    • 高端短路、过流和过热保护
  • 输入电压高达 14.5V
  • 与 3.3 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 针对击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 双冷却封装
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层
  • 无卤素

应用范围

  • 多相位同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高电流、低占空比应用
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
  • 内存和图形卡
  • 台式机和服务器 VR11.x / VR12.x V 内核和存储器同步转换器

CSD95372BQ5M NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 它还集成了准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高准确度。 此外，已经 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

CSD95372BQ5M NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 它还集成了准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高准确度。 此外，已经 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

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* 数据表 CSD95372BQ5M 同步降压NexFET™ 智能功率级 数据表 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2014年 3月 29日

设计与开发

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仿真模型

CSD95372BQ5M PSpice Model

SLPM114.ZIP (22 KB) - PSpice Model
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参考设计

PMP11399 — 针对企业级以太网交换机的 PMBus 电源系统参考设计

PMP11399 是一套完整的 PMBus 电源系统，适用于高性能以太网交换机中常见的 3 个 ASIC/FPGA 内核、DDR3 内核内存、VTT 端接电压及辅助电压供电。该硬件配套提供 GUI，用户可通过其对电源进行实时配置和监控。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00324 — POL 多相（三相）、120A 电源参考设计

TIDA-00324 是一款电源参考设计，突出了多相控制器 TPS53631 与智能功率级 CSD95372BQ5M 在 12V 输入电压、1.2V 输出电压、120A 输出电流应用中的功能。  此参考设计可助力用户为 CPU 核心电压或 DDR4 开发电源解决方案，加速产品开发和上市进程。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP11184 — 适合 ASIC 处理器且具有 PMBus 的高效率功率密度 1V/120A/30A/30A (4+1+1) 参考设计

PMP11184 是一款适合高电流 ASIC 内核电压轨调节的芯片组解决方案。它采用 TPS53647 四相控制器作为 120A 高电流轨，采用 DCAP+控制实现快速瞬态响应，并采用 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳定和动态相间电流平衡。它还采用 TPS40428 双路控制器，适用于双路 30A 电压轨。这两个控制器均可驱动 TI NexFET 智能功率级，以实现高功率密度和效率。PMBus 功能和板载 NVM 支持遥测输出电压、电流、温度和功率，可实现轻松的设计、配置和定制。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP11312 — 适用于 ASIC 处理器的高效率、高功率密度四相 1V/120A PMBus 接口参考设计

PMP11312 参考设计是一款四相 PMBus 转换器，用于高电流 ASIC 内核电压轨调节。它采用 TPS53647 四相控制器作为 120A 高电流轨，采用 DCAP+控制实现快速瞬态响应，并采用 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳定和动态相间电流平衡。  TPS53647 可驱动 TI 的 NexFET 智能功率级，以实现高功率密度和效率。经过优化的布局和改进的电路板堆叠（8 层 2oz 铜），可实现更高的效率和更高的功率密度。PMBus 功能和板载 NVM 支持遥测输出电压、电流、温度和功率，可实现轻松的设计、配置和定制。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP10962 — 适合 ASIC 内核电源轨的高效可扩展三相 1V/90A PMBus 电源

PMP10962 参考设计是一种三相 PMBus 转换器，用于高电流 ASIC 内核电源轨调节。它采用 DCAP+ 控制实现快速瞬态响应，并采用 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳定和动态相间电流平衡。它可以驱动三个 TI NexFET 智能功率级来实现高功率密度及效率。它可以轻松地向上/向下缩放以满足广泛的负载范围要求。PMBus 功能和板载 NVM 支持遥测输出电压、电流、温度和功率，可实现轻松的设计、配置和定制。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
LSON-CLIP (DQP) 12 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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