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ADC3664-SEP

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耐辐射、30krad 14 位双通道 125MSPS ADC

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产品详情

Sample rate (max) (Msps) 125 Resolution (Bits) 14 Number of input channels 2 Interface type Serial LVDS Analog input BW (MHz) 200 Features Bypass Mode, Decimating Filter, Differential Inputs, Dual Channel, High Dynamic Range, High Performance, Internal Reference, LVDS interface, Low latency, Low power Rating Space Peak-to-peak input voltage range (V) 3.2 Power consumption (typ) (mW) 200 Architecture SAR SNR (dB) 78 ENOB (Bits) 12.6 SFDR (dB) 84 Operating temperature range (°C) -55 to 105 Radiation, TID (typ) (krad) 30 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43
Sample rate (max) (Msps) 125 Resolution (Bits) 14 Number of input channels 2 Interface type Serial LVDS Analog input BW (MHz) 200 Features Bypass Mode, Decimating Filter, Differential Inputs, Dual Channel, High Dynamic Range, High Performance, Internal Reference, LVDS interface, Low latency, Low power Rating Space Peak-to-peak input voltage range (V) 3.2 Power consumption (typ) (mW) 200 Architecture SAR SNR (dB) 78 ENOB (Bits) 12.6 SFDR (dB) 84 Operating temperature range (°C) -55 to 105 Radiation, TID (typ) (krad) 30 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43
WQFN (RSB) 40 25 mm² 5 x 5
  • 耐辐射（仅 -SEP）：
    • 单粒子锁定 (SEL) 抗扰度为 LET = 43 MeV-cm2/mg
    • 单粒子功能中断 (SEFI) 的 LET 特征值高达 43 MeV-cm2/mg
    • 电离辐射总剂量 (TID)：30krad(Si)
  • 增强型产品（-EP a -SEP）：
    • 符合 ASTM E595 释气规格要求
    • 供应商项目图 (VID)
    • 温度范围：-55°C 至 105°C
    • 一个制造、封装和测试基地
    • 金键合线，NiPdAu 铅涂层
    • 晶圆批次可追溯性
    • 延长了产品生命周期
  • 双通道、125MSPS ADC
  • 14 位分辨率（无丢码）
  • 本底噪声：-156.9dBFS/Hz
  • 低功耗：100mW/通道（125MSPS 时）
  • 延迟：2 个时钟周期
  • 电压基准选项：
    • 外部：1 到 125MSPS
    • 内部：100 到 125MSPS
  • 输入带宽：200MHz (3dB)
  • INL：±2.6 LSB；DNL：±0.9 LSB（典型值）
  • 片上 DSP（可选/可旁路）
    • 2 倍、4 倍、8 倍、16 倍、32 倍抽取率
    • 32 位 NCO
  • 串行 LVDS 数字接口（2 线、1 线和 1/2 线）
  • 小尺寸：40 QFN (5 × 5mm) 封装
  • 频谱性能 (fIN = 5MHz)：
    • SNR：77.5dBFS
    • SFDR：84dBc HD2、HD3
    • SFDR：92dBFS 最严重毛刺
  • 耐辐射（仅 -SEP）：
    • 单粒子锁定 (SEL) 抗扰度为 LET = 43 MeV-cm2/mg
    • 单粒子功能中断 (SEFI) 的 LET 特征值高达 43 MeV-cm2/mg
    • 电离辐射总剂量 (TID)：30krad(Si)
  • 增强型产品（-EP a -SEP）：
    • 符合 ASTM E595 释气规格要求
    • 供应商项目图 (VID)
    • 温度范围：-55°C 至 105°C
    • 一个制造、封装和测试基地
    • 金键合线，NiPdAu 铅涂层
    • 晶圆批次可追溯性
    • 延长了产品生命周期
  • 双通道、125MSPS ADC
  • 14 位分辨率（无丢码）
  • 本底噪声：-156.9dBFS/Hz
  • 低功耗：100mW/通道（125MSPS 时）
  • 延迟：2 个时钟周期
  • 电压基准选项：
    • 外部：1 到 125MSPS
    • 内部：100 到 125MSPS
  • 输入带宽：200MHz (3dB)
  • INL：±2.6 LSB；DNL：±0.9 LSB（典型值）
  • 片上 DSP（可选/可旁路）
    • 2 倍、4 倍、8 倍、16 倍、32 倍抽取率
    • 32 位 NCO
  • 串行 LVDS 数字接口（2 线、1 线和 1/2 线）
  • 小尺寸：40 QFN (5 × 5mm) 封装
  • 频谱性能 (fIN = 5MHz)：
    • SNR：77.5dBFS
    • SFDR：84dBc HD2、HD3
    • SFDR：92dBFS 最严重毛刺

ADC3664-xEP 器件是一款低噪声、超低功耗、14 位、125MSPS 高速双通道 ADC。该器件可实现超低噪声性能和 -156.9dBFS/Hz 的噪声频谱密度，还具有线性度和动态范围。ADC3664-xEP 可提供中频采样支持，使器件适合各种应用。高速控制环路受益于低至一个时钟周期的低延迟。该 ADC 在 125MSPS 下的功耗仅为每通道 100mW，且其功耗随采样率减小而降低。

ADC3664-xEP 使用串行 LVDS (SLVDS) 接口输出数据，可更大限度减少数字互连的次数。该器件提供双通道、单通道和半通道选项。该器件支持 –55°C 至 +105°C 的工作温度范围。

ADC3664-xEP 器件是一款低噪声、超低功耗、14 位、125MSPS 高速双通道 ADC。该器件可实现超低噪声性能和 -156.9dBFS/Hz 的噪声频谱密度，还具有线性度和动态范围。ADC3664-xEP 可提供中频采样支持，使器件适合各种应用。高速控制环路受益于低至一个时钟周期的低延迟。该 ADC 在 125MSPS 下的功耗仅为每通道 100mW，且其功耗随采样率减小而降低。

ADC3664-xEP 使用串行 LVDS (SLVDS) 接口输出数据，可更大限度减少数字互连的次数。该器件提供双通道、单通道和半通道选项。该器件支持 –55°C 至 +105°C 的工作温度范围。
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* 数据表 ADC3664-SEP ADC3664-EP 14 位、125MSPS、低噪声、低功耗双通道 ADC 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 4月 11日
* 辐射与可靠性报告 ADC3664-SEP Single Event Effects Report PDF | HTML 2025年 3月 25日
* 辐射与可靠性报告 ADC3664-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2025年 3月 19日
* 辐射与可靠性报告 ADC3664-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report 2025年 3月 19日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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