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TLV9061(单通道)、TLV9062(双通道)和 TLV9064(四通道)是低压、1.8V 至 5.5V、运算放大器,具有轨到轨输入和输出摆幅能力。
这些器件具有高成本效益,适用于需要低压运行、小型封装和高容性负载驱动能力的应用。
虽然 TLV906x 的容性负载驱动能力为 100pF,但电阻式开环输出阻抗便于在更高的容性负载下更轻松地实现稳定。此类运算放大器专为低工作电压(1.8V 至 5.5V)而设计,性能规格类似于 OPAx316 和 TLVx316 器件。
TLV906xS 器件具有关断模式,允许放大器切换至典型电流消耗低于 1µA 的待机模式。
TLV906xS 系列有助于简化系统设计,因为该系列具有稳定的单位增益,集成了 RFI 和 EMI 抑制滤波器,而且在过驱条件下不会出现相位反转。
除了业内通用封装(如 SOIC、MSOP、SOT-23 和 TSSOP),还针对所有通道类型(单通道、双通道和四通道)提供了微型 封装(如 X2SON 和 X2QFN)。
器件型号(3) | 封装(1) | 本体尺寸(标称值)(4) |
---|---|---|
TLV9061 | DBV(SOT-23,5) | 2.90mm × 1.60mm |
DCK(SC70,5) | 2.00mm × 1.25mm | |
DRL(SOT-553,5)(2) | 1.60mm × 1.20mm | |
DPW(X2SON,5) | 0.80mm × 0.80mm | |
TLV9061S | DBV(SOT-23,6) | 2.90mm × 1.60mm |
DRY(USON,6) | 1.45mm × 1.00mm | |
TLV9062 | D(SOIC,8) | 4.90mm × 3.90mm |
PW(TSSOP,8) | 3.00mm × 4.40mm | |
DGK(VSSOP,8) | 3.00mm × 3.00mm | |
DDF(SOT-23,8) | 2.90mm × 1.60mm | |
DSG(WSON,8) | 2.00mm × 2.00mm | |
TLV9062S | DGS(VSSOP,10) | 3.00mm × 3.00mm |
RUG(X2QFN,10) | 2.00mm × 1.50mm | |
YCK(DSBGA,9) | 1.00mm x 1.00mm | |
TLV9064 | D(SOIC,14) | 8.65mm × 3.90mm |
PW(TSSOP,14) | 5.00mm × 4.40mm | |
RTE(WQFN,16) | 3.00mm × 3.00mm | |
RUC(X2QFN,14) | 2.00mm × 2.00mm | |
TLV9064S | RTE(WQFN,16) | 3.00mm × 3.00mm |
器件 | 通道数量 |
封装引线 | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOIC D |
USON DRY |
SOT-23 DBV |
SC-70 DCK |
VSSOP DGK |
VSSOP DGS |
DSBGA YCK |
X2SON DPW |
SOT-553 DRL |
WSON DSG |
TSSOP PW |
SOT-23 DDF |
WQFN RTE |
X2QFN RUC |
X2QFN RUG |
||
TLV9061 | 1 | 8 | — | 5 | 5 | — | — | — | 5 | 5 | — | — | — | — | — | — |
TLV9061S | — | 6 | 6 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |
TLV9062 | 2 | 8 | — | — | — | 8 | 10 | — | — | — | 8 | 8 | 8 | — | — | — |
TLV9062S | — | — | — | — | — | 10 | 9 | — | — | — | — | — | — | — | 10 | |
TLV9064 | 4 | 14 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 14 | — | 16 | 14 | — |
TLV9064S | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 16 | — | — |
引脚 | 类型(1) | 说明 | |||
---|---|---|---|---|---|
名称 | SOT-23、 SOT-553 |
SC70 | X2SON | ||
IN– | 4 | 3 | 2 | I | 反相输入 |
IN+ | 3 | 1 | 4 | I | 同相输入 |
OUT | 1 | 4 | 1 | O | 输出 |
V– | 2 | 2 | 3 | I 或 — | 负(低)电源或接地(对于单电源供电) |
V+ | 5 | 5 | 5 | I | 正(高)电源 |
引脚 | 类型(1) | 说明 | ||
---|---|---|---|---|
名称 | SOT-23 | USON | ||
IN– | 4 | 3 | I | 反相输入 |
IN+ | 3 | 1 | I | 同相输入 |
OUT | 1 | 4 | O | 输出 |
SHDN | 5 | 5 | I | 关断:低电平 = 禁用放大器,高电平 = 启用放大器。有关更多信息,请参阅关断功能。 |
V– | 2 | 2 | I 或 — | 负(低)电源或接地(对于单电源供电) |
V+ | 6 | 6 | I | 正(高)电源 |
引脚 | 类型(1) | 说明 | |
---|---|---|---|
名称 | 编号 | ||
IN1– | 2 | I | 反相输入,通道 1 |
IN1+ | 3 | I | 同相输入,通道 1 |
IN2– | 6 | I | 反相输入,通道 2 |
IN2+ | 5 | I | 同相输入,通道 2 |
OUT1 | 1 | O | 输出,通道 1 |
OUT2 | 7 | O | 输出,通道 2 |
V– | 4 | — | 负(最低)电源或接地(对于单电源供电) |
V+ | 8 | — | 正(最高)电源 |
引脚 | I/O | 说明 | |||
---|---|---|---|---|---|
名称 | VSSOP | X2QFN | DSBGA (WCSP) | ||
IN1– | 2 | 9 | B1 | I | 反相输入,通道 1 |
IN1+ | 3 | 10 | A1 | I | 同相输入,通道 1 |
IN2– | 8 | 5 | B3 | I | 反相输入,通道 2 |
IN2+ | 7 | 4 | A3 | I | 同相输入,通道 2 |
OUT1 | 1 | 8 | C1 | O | 输出,通道 1 |
OUT2 | 9 | 6 | C3 | O | 输出,通道 2 |
SHDN1 | 5 | 2 | — | I | 关断:低 = 禁用放大器,高 = 启用放大器,通道 1。有关更多信息,请参阅关断功能。 |
SHDN2 | 6 | 3 | — | I | 关断:低 = 禁用放大器,高 = 启用放大器,通道 1。有关更多信息,请参阅关断功能。 |
SHDN | — | — | B2 | 关断:低 = 禁用两个放大器,高 = 启用两个放大器 | |
V– | 4 | 1 | A2 | I 或 — | 负(低)电源或接地(对于单电源供电) |
V+ | 10 | 7 | C2 | I | 正(高)电源 |
引脚 | 类型(1) | 说明 | |||
---|---|---|---|---|---|
名称 | SOIC、 TSSOP |
WQFN | X2QFN | ||
IN1– | 2 | 16 | 1 | I | 反相输入,通道 1 |
IN1+ | 3 | 1 | 2 | I | 同相输入,通道 1 |
IN2– | 6 | 4 | 5 | I | 反相输入,通道 2 |
IN2+ | 5 | 3 | 4 | I | 同相输入,通道 2 |
IN3– | 9 | 9 | 8 | I | 反相输入,通道 3 |
IN3+ | 10 | 10 | 9 | I | 同相输入,通道 3 |
IN4– | 13 | 13 | 12 | I | 反相输入,通道 4 |
IN4+ | 12 | 12 | 11 | I | 同相输入,通道 4 |
NC | — | 6、7 | — | — | 无内部连接 |
OUT1 | 1 | 15 | 14 | O | 输出,通道 1 |
OUT2 | 7 | 5 | 6 | O | 输出,通道 2 |
OUT3 | 8 | 8 | 7 | O | 输出,通道 3 |
OUT4 | 14 | 14 | 13 | O | 输出,通道 4 |
V– | 11 | 11 | 10 | I 或 — | 负(低)电源或接地(对于单电源供电) |
V+ | 4 | 2 | 3 | I | 正(高)电源 |
引脚 | 类型(1) | 说明 | |
---|---|---|---|
名称 | 编号 | ||
IN1– | 16 | I | 反相输入,通道 1 |
IN1+ | 1 | I | 同相输入,通道 1 |
IN2– | 4 | I | 反相输入,通道 2 |
IN2+ | 3 | I | 同相输入,通道 2 |
IN3– | 9 | I | 反相输入,通道 3 |
IN3+ | 10 | I | 同相输入,通道 3 |
IN4– | 13 | I | 反相输入,通道 4 |
IN4+ | 12 | I | 同相输入,通道 4 |
OUT1 | 15 | O | 输出,通道 1 |
OUT2 | 5 | O | 输出,通道 2 |
OUT3 | 8 | O | 输出,通道 3 |
OUT4 | 14 | O | 输出,通道 4 |
SHDN12 | 6 | I | 关断:低电平 = 禁用放大器,高电平 = 启用放大器。通道 1。有关更多信息,请参阅关断功能。 |
SHDN34 | 7 | I | 关断:低电平 = 禁用放大器,高电平 = 启用放大器。通道 1。有关更多信息,请参阅关断功能。 |
V– | 11 | I 或 — | 负(低)电源或接地(对于单电源供电) |
V+ | 2 | I | 正(高)电源 |
最小值 | 最大值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|
电源电压 [(V+) – (V–)] | 0 | 6 | V | ||
信号输入引脚 | 电压(2) | 共模 | (V–) – 0.5 | (V+) + 0.5 | V |
差分 | (V+) – (V–) + 0.2 | V | |||
电流(2) | -10 | 10 | mA | ||
输出短路(3) | 持续 | mA | |||
温度 | 额定温度,TA | -40 | 125 | °C | |
结温,TJ | 150 | ||||
贮存温度,Tstg | -65 | 150 |
值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|
TLV9061 封装 | ||||
V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1) | ±2500 | V |
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) | ±1500 | |||
所有其他封装 | ||||
V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1) | ±4000 | V |
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) | ±1500 |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
VS | 电源电压 (VS = [V+] – [V–]) | 1.8 | 5.5 | V |
VI | 输入电压范围 | (V–) – 0.1 | (V+) + 0.1 | V |
VO | 输出电压范围 | V– | V+ | V |
VSHDN_IH | 关断引脚上的高电平输入电压(放大器为启用状态) | 1.1 | V+ | V |
VSHDN_IL | 关断引脚上的低电平输入电压(放大器为禁用状态) | V– | 0.2 | V |
TA | 额定温度 | -40 | 125 | °C |
热性能指标(1) | TLV9061 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|
DBV (SOT-23) | DCK (SC70) | DPW (X2SON) | |||
5 引脚 | 5 引脚 | 5 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 221.7 | 263.3 | 467 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 144.7 | 75.5 | 211.6 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 49.7 | 51 | 332.2 | °C/W |
ψJT | 结至顶部特征参数 | 26.1 | 1 | 29.3 | °C/W |
ψJB | 结至电路板特征参数 | 49 | 50.3 | 330.6 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | 不适用 | 125 | °C/W |
热性能指标(1) | TLV9061S | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
DBV (SOT-23) | DRY (USON) | |||
6 引脚 | 6 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 216.5 | 待定 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 155.1 | 待定 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 96.2 | 待定 | °C/W |
ψJT | 结至顶部特征参数 | 80.3 | 待定 | °C/W |
ψJB | 结至电路板特征参数 | 95.9 | 待定 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | 不适用 | °C/W |
热性能指标(1) | TLV9062 | 单位 | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
D (SOIC) | DGK (VSSOP) | DSG (WSON) | PW (TSSOP) | DDF (SOT-23) | |||
8 引脚 | 8 引脚 | 8 引脚 | 8 引脚 | 8 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 157.6 | 201.2 | 94.4 | 205.1 | 184.4 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 104.6 | 85.7 | 116.5 | 93.7 | 112.8 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 99.7 | 122.9 | 61.3 | 135.7 | 99.9 | °C/W |
ψJT | 结至顶部特征参数 | 55.6 | 21.2 | 13 | 25.0 | 18.7 | °C/W |
ψJB | 结至电路板特征参数 | 99.2 | 121.4 | 61.7 | 134.0 | 99.3 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | 不适用 | 34.4 | 不适用 | 不适用 | °C/W |
热指标(1) | TLV9002S | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|
YCK (DSBGA) | RUG (X2QFN) | DGS (VSSOP) | |||
9 引脚 | 10 引脚 | 10 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 129.8 | 197.2 | 170.4 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 0.9 | 93.3 | 84.9 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 37.5 | 123.8 | 113.5 | °C/W |
ΨJT | 结至顶部特征参数 | 0.5 | 3.7 | 16.4 | °C/W |
ΨJB | 结至电路板特征参数 | 37.1 | 120.2 | 112.3 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | 不适用 | 不适用 | °C/W |
热性能指标(1) | TLV9064 | 单位 | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
PW (TSSOP) | D (SOIC) | RTE (WQFN) | RUC (X2QFN) | |||
14 引脚 | 14 引脚 | 16 引脚 | 14 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 135.8 | 106.9 | 65.1 | 205.5 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 64 | 64 | 67.9 | 72.5 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 79 | 63 | 40.4 | 150.2 | °C/W |
ψJT | 结至顶部特征参数 | 15.7 | 25.9 | 5.5 | 3.0 | °C/W |
ψJB | 结至电路板特征参数 | 78.4 | 62.7 | 40.2 | 149.6 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | 不适用 | 23.8 | 不适用 | °C/W |