1 引言

相移全桥 (PSFB) 转换器（请参阅图 1）广泛应用于高功率应用，主要是因为 PSFB 转换器可在其输入开关上实现软开关，从而提高转换器的效率 [1]。虽然软开关大大降低了开关损耗，但输出整流器寄生电容与变压器漏电指示器谐振（在图 1 中建模为 L_r），导致电压振铃并具有高电压应力 [2]。

输出整流器的电压应力可能高达 2 x V_IN x N_S/N_P，其中 N_P 和 N_S 分别是变压器的初级绕组和次级绕组。过去，在输出整流器上应用无源缓冲器 [2]（如图 1 中的电阻器-电容器-二极管 [RCD] 缓冲器）可防止整流器电压过高，并允许使用额定电压较低且品质因数较高的元件来降低功率损耗。

将金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 用作同步整流器 (SR) 时，与额定电压较高的 MOSFET 相比，在额定电压较低的 MOSFET 上可实现更低的 C_oss 和 R_DS(on)。但是，使用无源缓冲器意味着导致电压振铃的部分能量将在无源缓冲器中耗散，从而降低效率。

本文介绍了有源（而不是无源）缓冲器及其相关控制，该缓冲器可更大限度地减小整流器电压应力，从而实现更高的转换器效率，同时还可在不影响工作范围的情况下大大降低缓冲电路中的能量耗散。