ZHDZ005B July 2023 – December 2025 IWRL1432
PRODUCTION DATA
4.2 符合 BOM 优化型拓扑中 1.2V 数字 LDO 输出路径的数据表规格
如器件数据表所示，1.2V 数字 LDO 需要一个典型值为 4.7μF 的去耦电容器。输出路径不同部分提供的寄生效应如图 4-2 所示。“RT1”和“RT2”分别是焊球到电容器引线走线和接地走线提供的寄生电阻。同样，“LT1”和“LT2”分别是焊球到电容器引线走线和接地走线提供的寄生电感。“ESL1”和“ESR1”是去耦电容器的有效串联电感和电阻。表 4-1 给出了电容和寄生电阻/电感的最小值、最大值和典型值。
图 4-2 与单个去耦电容器相关的 PCB 寄生元件表 4-1 1.2V 数字 LDO 输出
如果在 PCB 设计中无法实现 RP，则可以考虑以下权变措施：
| 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|
| C 的建议值 | 3.6 | 4.7 | 5.2 | μF |
| 允许的输出寄生电感 Lp | 1 | 1.5 | 2 | nH |
| 允许的输出寄生电阻 Rp | 15 | 20 | 35 | mΩ |
在 VDD 输出路径中添加一个串联精密电阻器以及去耦电容器，以获得数据表限制范围内输出路径的等效有效串联电阻。
示例器件型号：PA0402FRL570R02L、20mΩ、1% 容差；MFL0603R0200FA、20mΩ、1% 总容差；
图 4-3 解决方法示例