ZHDU176A July   2026  – August 2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   开始使用
  4.   特性
  5.   应用
  6. 1评估模块概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
    4. 1.4 器件信息
    5. 1.5 通用德州仪器 (TI) 高压评估模块 (TI HV EVM) 用户安全指南
  7. 2硬件
    1. 2.1 测试设置要求
    2. 2.2 建议的测试设置
    3. 2.3 测试点
    4. 2.4 端子
  8. 3性能数据和典型特性曲线
    1. 3.1  28V 输出电压下的效率测试数据
    2. 3.2  24V 输出电压下的效率测试数据
    3. 3.3  20V 输出电压下的效率测试数据
    4. 3.4  效率曲线：效率与输出功率间的关系
    5. 3.5  负载调整率
    6. 3.6  启动波形
    7. 3.7  负载范围内的开关频率
    8. 3.8  线路瞬态响应
    9. 3.9  负载瞬态波形
    10. 3.10 输出纹波电压
    11. 3.11 EN55022 B 类传导 EMI 测试结果
    12. 3.12 最大负载时的热性能
    13. 3.13 PFC 测试结果：Vin 与 Iin 间的关系
    14. 3.14 PFC 测试结果：负载上的开关节点波形
    15. 3.15 PFC 测试结果：效率（仅限具有外部 Vcc 的 PFC）
  9. 4硬件设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 PCB 布局
    3. 4.3 变压器详细信息
    4. 4.4 物料清单
  10. 5其他信息
    1.     商标
  11. 6修订历史记录

4.4 物料清单

下表列出了 UCG28828EVM-098 的物料清单。

表 4-1 物料清单
位号 数量 说明 器件型号
390V_BUS、线路、VFB、Vinrect 和 Vout 5 测试点，通用，白色，TH 5012
C1 1 100µF 450V 铝制电解电容器，径向，Can 3000 小时，105°C KCMJ2002W101MF
C2、C25、C40、C41 4 电容，陶瓷，0.1μF，450V，±10%，X7T，AEC-Q200 1 级，1206_190 CGA5L4X7T2W104K160AE
C3、C4 2 470nF ±10% X2 插件式，P = 7.5mm 抑制电容器，符合 ROHS MPX474K31B9KN20600
C5 1 电容，陶瓷，1µF，25V，± 10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 CGA3E1X7R1E105K080AC
C6 1 电容，陶瓷，22pF，50V，±5%，C0G/NP0，0402 CC0402JRNPO9BN220
C7 1 电容，陶瓷，10pF，1000V，±5%，C0G/NP0，1206 VJ1206A100JXGAT5Z
C8、C44 2 0.47µF 薄膜电容器，160V 450V，聚丙烯 (PP)，金属化径向 B32671P4474K000
C9 1 电容，陶瓷，3300pF，50V，±5%，C0G/NP0，0805 GRM2165C1H332JA01D
C10 1 电容，陶瓷，470pF，50V，±10%，X7R，0805 C0805C471K5RACTU
C11、C24 2 电容，陶瓷，0.1µF，50V，± 10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 06035C104KAZ2A
C12 1 电容，陶瓷，1µF，16V，± 10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 GCM188R71C105KA64J
C13 1 电容，陶瓷，0.047μF，100V，±10%，X7S，0603 C1608X7S2A473K080AB
C14 1 电容，陶瓷，0.47μF，50V，±10%，X7R，0805 GRM21BR71H474KA88L
C15 1 电容，陶瓷，10pF，50V，±5%，C0G/NP0，0603 C0603C100J5GACTU
C16 1 电容，陶瓷，2200pF，50V，±5%，C0G/NP0，0603 GRM1885C1H222JA01D
C17 1 电容，陶瓷，10μF，25V，±10%，X7R，0805 GRM21BZ71E106KE15L
C18 1 通用片状多层陶瓷电容器，1206，47000pF，C0G，30ppm/°C，5%，50V GRM31M5C1H473JA01K
C19、C51、C52、C53 4 1500pF ±10% 250VAC 陶瓷电容器 X7R 1808（公制 4520） 1808YA250152KJTSYX
C20 1 电容，陶瓷，2200pF，1000V，±10%，X7R，1206 GRM31BR73A222KW01L
C21、C23 2 铝电解电容器（径向引线型）820μF±20% 35V EEUFS1V821
C23、C36 2 电容，陶瓷，22μF，10V，±20%，X7R，0805 GRM21BZ71A226ME15L
C26 1 电容，陶瓷，1000PF，1KV，X7R，0805 C0805X102KDRACTU
C27 1 电容，陶瓷，1μF，50V，±10%，X5R，0603 C1608X5R1H105K080AB
C28 1 电容，陶瓷，0.47μF，50V，±10%，X7R，0603 C1608X7R1H474K080AC
C29 1 电容，陶瓷，0.1µF，100V，± 10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 HMK107B7104KAHT
C30、C31 2 通用片状多层陶瓷电容器，1206，4.7μF，X7R，15%，10%，100V GRM31CZ72A475KE11L
C32 1 电容，陶瓷，0.1μF，50V，±10%，X7R，0603 C1608X7R1H104K080AA
C33 1 电容，陶瓷，10µF，35V，±10%，X5R，0805 GMK212BBJ106KG-T
C34 1 电容，陶瓷，1µF，50V，± 10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0805 08055C105K4Z2A
C35 1 电容，陶瓷，1000pF，100V，±5%，C0G/NP0，0603 C1608C0G2A102J080AA
C37 1 电容，陶瓷，0.1μF，25V，±10%，X7R，0402 GRM155R71E104KE14D
C38 1 电容，陶瓷，330pF，50V，±1%，C0G/NP0，0402 GRM1555C1H331FA01J
C39、C50 2 多层陶瓷电容器，10nF，50V，C0G ±5%，0603，纸质 T/R GRT1885C1H103JA02D
C43 1 电容，陶瓷，0.022μF，500V，±10%，X7R，1206 VJ1206Y223KXEAT5Z
C45 1 电容，陶瓷，0.22μF，500V，±10%，X7R，2220 VJ2220Y224KBEAT4X
C46 1 电容，陶瓷，0.22μF，100V，±10%，X7R，0805 CL21B224KCFSNWE
D1 1 整流器，单路，600V，3A，Smc 符合 Rohs 标准：是 S3J-13F
D3 1 超快速二极管，600V，6A，AEC-Q101，TO-277A VS-6ESH06HM3/86A
D4、D5 2 二极管 1000V 2A 表面贴装 SOD-123F S2MFL
D6 1 二极管，开关，75V，0.15A，AEC-Q101，SOD-323 1N4148WS-7F
D7 1 二极管整流桥单路 600V 8A 4 引脚封装 GBU 管 GBU806
D8 1 肖特基二极管小信号 100V 0.5A 2 引脚 SOD-123T/R BAS100AS_R1_00001
D9 1 二极管 1000V 1A 表面贴装 SOD-123FL SL1M
D10 1 二极管，快速整流器，800V，1A，SMA US1K-13F
D11、D12 2 二极管，超快速整流器，600V，1A，3.5x1.6mm CSFMT108-HF
D13 1 二极管，齐纳，15V，200mW，SOD-323 MMSZ5245BS-7F
F1 1 微型慢断保险丝，3.15A，350V，径向，8.35 × 4 × 7.8mm，热塑性盒装 0697W3150-01
H1、H2、H3、H4 4 六角螺柱，0.5"L #4-40，尼龙 NY PMS 440 0025 PH
H5、H6、H7、H8 4 六角螺柱，0.5"L #4-40，尼龙 1902C
J1、J2 2 端子块，5.08mm，2x1，黄铜，TH ED120/2DS
L1 1 ‘功率扼流圈无屏蔽绕线式 150uH 10% 10KHz 铁氧体 2A 180mΩ DCR RDL 托盘 7447480151
L2 1 电感器 240uH 10% 100kHz 0.223Ω 9.8A 26.16x26.16x19.05mm TH 750317130
L3 1 耦合电感器，1mH，2A，0.045Ω，TH 744821201
L4 1 耦合电感器 15mH DC-SQ1515-02010-03L
中性，PGND1，PGND2，SGND 4 测试点，多用途，黑色，TH 中性，PGND，SGND
Q2 1 MOSFET，N 沟道，150V，87A，PG-TDSON-8 BSC093N15NS5ATMA1
Q3 1 MOSFET，N 沟道，100V，0.17A，SOT-23 BSS123
Q4 1 光耦合器晶体管输出 5000Vrms 1 通道 6-SO TLP383(GR-TPL,E)
R1、R3、R6、R8、R11、R14、R17、R18、R20 9 电阻，3.32M，1%，0.25W，AEC-Q200 0 级，1206 CRCW12063M32FKEA
R2 1 电阻，0，5%，0.125W，AEC-Q200 0 级，0805 ERJ-6GEY0R00V
R4 1 RES SMD 127Ω 0.5% 1/10W 0603 RT0603DRD07127RL
R5、R49 2 电阻，0，5%，0.125W，AEC-Q200 0 级，0805 RC0603JR-070RL
R9、R12、R15、R27 4 电阻，324k，1%，0.25W，AEC-Q200 0 级，1206 ERJ-8ENF3243V
R10 1 电阻，24.9k，1%，0.125W，AEC-Q200 0 级，0805 CRCW080524K9FKEA
R13 1 1.01kΩ ±0.1% 0.1W，1/10W 片上电阻 0603（公制 1608），防潮薄膜 RN73R1JTTD1011B25
R16 1 电阻，3.00k，0.1%，0.1W，0603 RG1608P-302B-T5
R19、R35 2 电阻，1.00M，1%，0.125W，0603 MCT06030C1004FP500
R22 1 电阻，47，5%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 CRCW060347R0JNEA
R23 1 电阻，180k，0.1%，0.125W，0805 RT0805BRD07180KL
R24 1 电阻，20.0k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD0720KL
R25 1 电阻，180k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD07180KL
R26 1 电阻，220k，0.1%，0.1W，0603 RG1608P-224B-T5
R29 1 电阻，10.0，0.5%，1W，AEC-Q200 0 级，1206 HRG3216Q-10R0D-T1
R30 1 电阻，0，5%，0.063W，AEC-Q200 0 级，0402 CRCW04020000Z0ED
R31 1 电阻，511，1%，0.063W，AEC-Q200 0 级，0402 CRCW0402511RFKED
R32、R63 2 电阻，511，1%，0.25W，AEC-Q200 0 级，1206 CRCW1206511RFKEA
R33 1 电阻，10.0，0.05%，0.1W，0805 RNCF0805AKT10R0
R34 1 电阻，100k，1%，0.1W，0402 ERJ-2RKF1003X
R36 1 0Ωs 跳线 0.125W，1/8W 片上电阻 0805（公制 2012），汽车类 AEC-Q200 厚膜 RMCF0805ZT0R00
R37 1 电阻，15.0k，0.05%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 ERA-3ARW153V
R38 1 电阻，2.74k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD072K74L
R39、R53 2 电阻，249k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD07249KL
R40 1 电阻，7.68k，0.5%，0.1W，0603 RT0603DRE077K68L
R41、R60、R61、R72、R73 5 电阻，0，0%，0.25W，AEC-Q200 0 级，0603 RCS06030000Z0EA
R42 1 电阻，1.00k，0.01%，0.063W，0603 RNCF0603TKY1K00
R43 1 电阻，28.7k，0.5%，0.1W，0603 RT0603DRE0728K7L
R44 1 电阻，75.0k，0.5%，0.1W，0603 RT0603DRE0775KL
R45 1 电阻，49.9k，0.5%，0.1W，0603 RT0603DRE0749K9L
R46 1 电阻，5.23k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD075K23L
R47 1 电阻，35.2k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD0735K2L
R48 1 电阻，44.2k，0.5%，0.1W，0603 RT0603DRE0744K2L
R54 1 电阻，49.9k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD0749K9L
R55 1 电阻，95.3k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD0795K3L
R59 1 电阻，2.0k，5%，0.25W，AEC-Q200 0 级，1206 CRCW12062K00JNEA
R64 1 电阻，28.7k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD0728K7L
R65 1 电阻，24.3k，0.1%，0.1W，0603 RT0603BRD0724K3L
R66 1 电阻，5.05，0.5%，0.1W，0603 RT0603DRE075R05L
R68 1 NTC 热敏电阻 150k 0603（公制 1608） NT06155F4050B1F
R71 1 电阻，64.9k，0.5%，0.1W，0603 RT0603DRE0764K9L
RV1 1 压敏电阻 490V 1.2KA 圆盘 7MM V300LA2P
T1 1 变压器 ATQ28T-351K-W5
T2，T3，VD_SR 3 测试点，微型，SMT 5019
U1 1 具有集成驱动器和电流检测仿真功能的 650V GaN FET LMG3622REQ
U2 1 6 引脚单相转换模式 PFC 控制器，DBV0006A (SOT-23-6) UCC28056ADBVR
U3 1 具有低静态电流和 2.5% 阈值精度的低电平有效电压监控器，5-SOT-23，–40 至 85 LM8364BALMF20/NOPB
U4 1 快速关断智能整流器 MP6908AGJ-P
U5 1 具有 750V 集成式 GaN HEMT 的自偏置高频 QR 反激式转换器 UCG28828-1REZR
U6 1 分流电压基准 IC 可调节 2.5V 36W±1% 15mA SOT-23-3 ATL431LIAIDBZR
ZD1、ZD2 2 二极管，齐纳，5.1V，400mW，SOD-323F D3Z5V1BF-7