ZHDS049D October   2003  – January 2026 SN74CB3Q3125

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

7.1 概述

SN74CB3Q3125 器件是一款高带宽 FET 总线开关，此开关利用一个电荷泵来提升传输晶体管的栅极电压，从而提供一个平缓的低通态电阻 (ron)。平缓的低通态电阻可实现超小的传播延迟，并且支持在数据输入/输出 (I/O) 端口上进行轨到轨开关。SN74CB3Q3125 器件还具有低的数据 I/O 电容，以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。SN74CB3Q3125 器件专为支持高带宽应用而设计，提供优化的接口解决方案，非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。

SN74CB3Q3125 器件配置为四个具有独立输出使能（1 OE、2 OE、3 OE、4 OE）输入的 1 位总线开关。它可以用作四个 1 位总线开关或一个 4 位总线开关。当 OE 为低电平时，相关 1 位总线开关导通，并且 A 端口被连接至 B 端口，从而实现两个端口之间的双向数据流。当 OE 为高电平时，相关 1 位总线开关关闭，并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。

该器件专用于使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。该器件可在关断时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态，OE应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC；该电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力来决定。

SN74CB3Q3125 每个 FET 开关 (SW) 的简化版原理图)图 7-1 每个 FET 开关 (SW) 的简化版原理图)