ZHDS030 December 2025 TPS1HC08-Q1
PRODUCTION DATA
TPS1HC08-Q1 器件可能会经历不同的瞬态条件,导致大电流在短时间内流动。这些条件可能包括:
在这些瞬态情况中,热阻抗参数 ZθJA 表示结至环境热性能。下图显示了在自然对流条件下,使用 FR4 2s2p 电路板的 EVM 仿真热阻抗。该器件(芯片 + 封装)在一个具有两个内部铜层(两个在 70μm 铜厚度下,两个在 35μm 铜厚度下)的 76.2 × 114.3 × 1.5mm 电路板上建模。位于裸露焊盘下方的五个散热过孔与第一个内部铜层 (12mm x 12mm) 建立接触。所有仿真均在 25°C 的环境温度下执行,该通道的功率耗散设置为 1W。