ZHDS014 December 2025 UCC23711
PRODUCTION DATA
在导通和关断开关瞬态期间,VDD 和 VEE 电源提供峰值拉电流和灌电流。较大的峰值电流可能会漏极 VDD 和 VEE 电压电平并导致电源上出现压降。为了稳定电源并确保可靠运行,建议在电源处使用一组去耦电容器。考虑到该器件具有 ±5A 的峰值驱动强度并可以产生高 dV/dt,建议在 VDD 与 COM、VEE 与 COM 之间使用一个 1µF 旁路电容器。还建议 VCC-GND 和 VDD-COM 使用 0.1µF 去耦帽来滤除高频噪声。去耦电容器必须具有低 ESR 和 ESL,以避免高频噪声,并应尽可能靠近 VCC、VDD 和 VEE 引脚放置,以防止 PCB 布局的系统寄生效应产生噪声耦合。
要对仿真二极管进行正向偏置,建议使用直接连接到阴极引脚的单个电阻,并将阴极引脚直接连接到 GND。