ZHDS014 December   2025 UCC23711

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  电源
      2. 6.3.2  VDD 欠压锁定 (UVLO)
      3. 6.3.3  光学模拟输入
      4. 6.3.4  驱动器级
      5. 6.3.5  有源下拉
      6. 6.3.6  短路钳位
      7. 6.3.7  内部有源米勒钳位
      8. 6.3.8  去饱和 (DESAT) 保护
      9. 6.3.9  软关断 (STO)
      10. 6.3.10 故障 (FLT) 和复位
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 选择输入电阻器
        2. 7.2.2.2 栅极驱动器输出电阻器
        3. 7.2.2.3 FLT 输出
        4. 7.2.2.4 估算栅极驱动器功率损耗
        5. 7.2.2.5 选择 VDD 电容器
        6. 7.2.2.6 过流和短路保护
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.1 概述

器件是一款具有保护和检测功能的先进隔离式栅极驱动器，专为与碳化硅 (SiC) MOSFET 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 配合使用而设计。该器件能够基于 SiC MOSFET 和 IGBT 支持高达 1500V 的直流工作电压，适用于超过 10kW 的应用，包括电机驱动、车载和非车载电池充电器、光伏逆变器和其他大功率系统。

该器件具有通过磁隔离技术实现的电隔离，可在低压数字信号处理器/微控制器 (DSP/MCU) 和高压侧之间提供可靠且增强的隔离栅。该隔离技术使该器件能够支持高达 1.5kV 峰值的直流工作电压和高达 10kV 的峰值浪涌抗扰度。

该器件能够提供 ±5A 的峰值灌电流和拉电流，使其能够直接驱动 SiC MOSFET 模块和 IGBT 模块，而无需额外的缓冲级。此外，该器件还可用于通过添加外部缓冲级来驱动功率更大的模块或并联模块。

该器件的输入侧与输出侧相隔离，具有基于磁隔离技术的增强型隔离栅。该器件强大的驱动强度可实现快速开关速度，并降低开关损耗，而其 300V/ns 的最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 可确保系统的可靠性，即使在高开关速度下也是如此。该器件具有较小的传播延迟和器件间偏移，能够尽可能地减小死区时间设置，从而减少导通损耗。

该器件包括广泛的保护和监控功能，旨在提高基于 SiC MOSFET 和 IGBT 的系统的可靠性和稳健性。这些特性包括适用于栅极电压 ≥15V 的开关的输出侧电源欠压锁定 (UVLO)，以及有源米勒钳位功能（可防止在快速开关期间由米勒电容造成假接通）。

该器件还具有最先进的去饱和 (DESAT) 检测功能，检测时间短，并具有向低压侧 DSP/MCU 报告故障的功能。发生 DESAT 故障时，器件会触发软关断，从而更大限度地减少短路能量并降低开关上的过冲电压。这些先进的保护和监控功能可确保基于 SiC MOSFET 和 IGBT 的系统可靠运行，同时更大限度地降低损坏或故障的风险。