ZHDA336 October   2026 LMI800 , TPS1685 , TPS25985 , TPS25990

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1热插拔架构的演进
  5. 2影响下一代热插拔技术的考虑因素
  6. 3驱动热插拔 FET
  7. 4安全与绝缘
  8. 5结语
  9. 6参考资料

6 参考资料

  1. Diablo 400 Project: Rack and Power（版本 0.5.2）。（2025 年 5 月 30 日）。Open Compute Project：德克萨斯州奥斯汀。
  2. Huntington, J. 和 Tu, M.（无日期）。800VDC Architecture for Next Generation AI Infrastructure。Nvidia 白皮书。访问时间：2026 年 9 月 28 日。
  3. McDonald, B.（2025 年 11 月）。数据中心不断演进以满足 AI 的巨大电力需求（文献编号 SSZTDB4）。德州仪器 (TI) 技术文章。
  4. Pal, A. 和 Panguloori, R.（2026 年 3 月）。可对 800V 或 ±400V 直流配电实现稳健保护的浮地热插拔架构（文献编号 STDA029）。德州仪器 (TI)。
  5. Pal, A. 和 Panguloori, R.（2025 年第二季度）。使用热插拔控制器应对 48V AI 服务器的保护挑战（文献编号 SLYT863）。德州仪器 (TI)《模拟设计期刊》。
  6. Pal, A. 和 Sagar, S.（2025 年 1 月）。使用 TI 智能电子保险丝的高级功能增强服务器电源设计（文献编号 SLVAFR8）。德州仪器 (TI)。
  7. Rogachev, A.（2014 年 11 月）。稳健热插拔设计（文献编号 SLVA673 修订版 A）。德州仪器 (TI)。