3 驱动热插拔 FET

对于 800V_DC 系统，功率 FET 的主要选择是额定 1.2kV 漏源电压 (V_DS) 的碳化硅 (SiC) 或 SiC 共源共栅结型 FET。SiC FET 需要 18V 栅极驱动电压才能完全增强 FET 以获得最低的导通电阻；SiC 共源共栅结型 FET 需要 12V 栅极驱动电压。在热插拔应用中，FET 通常在浪涌电流限制阶段以线性模式运行。重要的是要适当设计热插拔电路，使浪涌阶段的 SOA 应力保持在 FET 的 SOA 限值内。在输出短路状态下加电等故障场景中，也需要专门的保护方案来保护 FET。过载保护不能将开关置于有源模式，因为这会导致快速过热。

LMI800PS 具备可配置的栅极驱动特性和较低功率限制阈值（低至 200W）以及可配置的计时器，使系统设计人员能够灵活开发可靠的热插拔解决方案。