ZHDA314 September 2026 THVD4431A
4.1 增加差动总线电容
在总线线路之间添加电容，可为高频能量提供低阻抗路径，从而衰减瞬态。如果添加额外的磁珠来改善 EMI 性能，请遵循以下建议：
- 添加一个容值大于 220pF 的差动电容器（R2 至 R1），并尽可能靠近收发器引脚放置。图 4-1 展示了容值在 20pF 至 620pF 范围内的总线电容器 (CAP_LOAD) 的仿真结果。
- 在每条总线线路上添加接地电容器。图 4-2 展示了在每条总线线路上添加连接至 GND 的 390pF 电容器后的实际波形。
此解决方法可能对信号完整性具有轻微影响，因此 TI 建议用户在电路板上进行测试以验证信号完整性。图 4-3 显示，在总电容为 620pF 时，上升和下降时间从约 18ns 增加到约 40ns，并且仍完全支持 10Mbps 通信。
图 4-1 仿真结果：20pF 到 620pF CAP_LOAD 的影响
图 4-2 测试结果：增加总线电容器后无毛刺
图 4-3 仿真结果：增加 CAP_LOAD（120pF 和 620pF）的影响