ZHDA218 July   2026 BQ25672 , BQ25690 , BQ25790 , BQ25798

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2详细说明
    1. 2.1 电路运行
    2. 2.2 MOSFET 选型注意事项
    3. 2.3 测试结果
  6. 3总结
  7. 4参考资料

测试结果

图 2-1 中的波形显示了系统进入和退出运输模式。

 PFET 进入和退出运输模式图 2-2 PFET 进入和退出运输模式

PFET 是 TI 的 CSD25404Q3。RPU 为 5MΩ,而 RSYS 则为 500Ω。通道 1(黄色波形)显示仿真电池输出电压。通道 2(蓝色波形)显示 BQ25790EVM BAT 引脚的电压。通道 3(粉色波形)显示来自函数信号发生器的仿真 MCU GPIO。通道 4(绿色波形)显示 PFET 栅极电压。由波形图可见,当仿真 GPIO 输出降至 0V 时,PFET 栅极电压被拉高,从而激活运输模式。这可通过查看通道 2 确认:PFET 栅极电压升高时,BQ25790 BAT 引脚电压随之降低。最后,当 GPIO 重新上升至初始状态时,我们观察到 PFET 重新导通,将仿真电池重新连接到充电器 BAT 引脚。