选用合适的 MOSFET，对于运输模式可靠运行、尽可能减少电池漏电及实现电路保护至关重要。MOSFET 选型必须综合考量系统电压、负载电流、栅极驱动电压、导通电阻、泄漏电流和散热要求。PFET 选型关键要点如下：

1. 漏源电压 V_DS 的额定值高于最大电池电压。
2. 连续漏极电流 I_DS 额定值大于最大充电电流与最大系统负载电流之和
3. 低电阻 R_DS(ON) 需小于充电器 BATFET（若存在）的电阻，最大限度降低对充电效率的影响（通常小于 20mΩ）
4. I_GSS（栅极泄漏电流）需足够小，保证高值上拉电阻 (R_PU) 上由 I_GSS × R_PU 产生的压降小于 PFET 的导通电压 V_GS-TH

如果 PFET 的 I_GSS 很低，则 R_PU 可选用兆欧级的电阻，从而最大限度减小电池放电损耗。由于 NFET 的 10kΩ 漏极电阻可最大限度抑制 PFET 导通时的电压振铃，R_PU 也必须足够大，以便 10kΩ 和 R_PU 构成的分压器将 PFET 栅极电压设为远低于电池电压减去 PFET 的 V_GS-TH 的值