图图 2-1 中的方框图展示了运输模式的实现方案。

此电路使用低 R_DS(ON) P 沟道 MOSFET (PFET) 以及连接到微控制器或处理器 (MCU) 通用输入/输出 (GPIO) 的低成本 N 沟道 MOSFET (NFET)，以此控制 PFET 的栅极电压。图中的 MCU 配置为开漏 GPIO，需搭配 3.3V 上拉电压。MCU 的 VDD 与 GPIO 引脚由低静态电流线性稳压器（如 TPS7A02）供电，该稳压器直接连接到电池。

PFET 用作主电池切断开关。当 PFET 导通时，电流从电池流向充电器的 BAT/SRN 引脚和系统负载，设备可正常工作。此时，器件未进入运输模式。当 PFET 关断时，电池与电池充电器和系统实现电气隔离，从而使器件进入运输模式。GPIO 引脚不可直接连接到 PFET 栅极引脚，防止 GPIO 承受完整的电池电压。因此，需要搭配低成本 NFET（例如 2N7002）来提供电平（和逻辑）转换。GPIO 控制 NFET 的栅源电压 (V_GS)。当 GPIO 引脚将 NFET 的栅极引脚电压拉高 3.3 V 时，PFET 的栅极引脚会同步接地，使 PFET 导通。PFET 栅极被拉低后，电流即可从电池流向充电器和系统负载。当栅极电压下拉至 GND 时，NFET 将关断。PFET 的栅极引脚电压上拉至电池电压，与 PFET 源极引脚上的电压相等，实现电池与充电器和系统负载电气断开，并将终端设备置于运输模式。在 NFET 漏极引脚和 PFET 栅极引脚之间串联 10k 电阻器，作用是减慢 PFET 的导通速度，从而抑制充电器 BAT 或 SRN 引脚上的电压振铃。可选用机械开关来替代或补充由 GPIO 控制的 NFET 系统。

由于运输模式电路位于电池和电池充电器 IC 之间，因此器件可与采用内置/内置 BATFET（即 NVDC 充电器）或无 BATFET 的电池充电器搭配使用。