ZHCUCV1B March   2025  – January 2026 AM62L

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
    1. 1.1 开始定制电路板设计之前的准备工作
      1. 1.1.1 AM62Lx 处理器系列外设和 IO 变更摘要（相对于 AM62x 处理器系列）
    2. 1.2 处理器特定 SDK
    3. 1.3 外设电路实现 — 处理器系列间的兼容性
      1. 1.3.1 AM62Lx 处理器系列特定实现
      2. 1.3.2 实现参考
    4. 1.4 选择所需的处理器 OPN（可订购器件型号）
      1. 1.4.1 安全启动及功能安全的处理器支持
    5. 1.5 技术文档
      1. 1.5.1 更新了 EVM 原理图（添加了设计、审阅和 CAD 注解）
      2. 1.5.2 TI.com 的处理器产品页面中的配套资料
      3. 1.5.3 原理图设计指南及原理图审阅检查清单 - 特定处理器系列用户指南
      4. 1.5.4 硬件设计注意事项用户指南更新
      5. 1.5.5 支持定制电路板设计的处理器和外设的相关常见问题解答
    6. 1.6 定制电路板设计文档
    7. 1.7 定制电路板设计期间的处理器和处理器外设设计相关疑问查询
  5. 2 定制电路板设计方框图
    1. 2.1 开发定制电路板设计方框图
    2. 2.2 配置引导模式
    3. 2.3 配置处理器引脚功能（PinMux 配置）
  6. 3 电源
    1. 3.1 电源架构
      1. 3.1.1 集成式电源架构
      2. 3.1.2 分立式电源架构
    2. 3.2 处理器电源轨（工作电压）
      1. 3.2.1 支持的低功耗模式
      2. 3.2.2 处理器内核和外设内核 - 电源
      3. 3.2.3 外设电源
      4. 3.2.4 IO 组电源的处理器 IO 电源
        1. 3.2.4.1 IO 组电源的 1.8V 或 3.3V 双电压 IO 电源
          1. 3.2.4.1.1 其他信息
        2. 3.2.4.2 IO 组电源的 1.8V 固定电压 IO 电源
      5. 3.2.5 用于 SD 卡接口 IO 电压切换的集成 LDO（为 MMC1 IO 接口设计的动态切换双电压 IO 供电）
      6. 3.2.6 VPP（eFuse ROM 编程）电源
      7. 3.2.7 IO 组（处理器）的双电压 IO 电源的内部 LDO
    3. 3.3 电源滤波
    4. 3.4 电源去耦和大容量电容
      1. 3.4.1 PDN 目标阻抗说明
    5. 3.5 电源时序
    6. 3.6 电源诊断（电压监控引脚 VMON）
    7. 3.7 电源诊断（使用外部监控电路（器件）进行监控）
    8. 3.8 定制电路板电流要求估算和电源尺寸确定
  7. 4 处理器时钟（输入和输出）
    1. 4.1 处理器时钟（外部晶体或外部振荡器）
      1. 4.1.1 未使用的 LFOSC0 的连接
      2. 4.1.2 WKUP_OSC0 和 LFOSC0 晶体选型
      3. 4.1.3 LVCMOS 兼容数字时钟输入源
    2. 4.2 处理器时钟输出
      1. 4.2.1 观察时钟输出
    3. 4.3 时钟树工具
  8. 5 联合测试行动组 (JTAG)
    1. 5.1 JTAG/仿真
      1. 5.1.1 JTAG/仿真的配置
        1. 5.1.1.1 BSDL 文件
      2. 5.1.2 JTAG/仿真的实现
      3. 5.1.3 JTAG 接口信号的连接建议
      4. 5.1.4 调试引导模式和边界扫描合规性
  9. 6 配置（处理器）和初始化（处理器和器件）
    1. 6.1 处理器复位
      1. 6.1.1 RTC 上电复位 (RTC_PORz)
    2. 6.2 处理器引导模式配置输入的锁存
    3. 6.3 附加器件的复位
    4. 6.4 看门狗计时器
  10. 7 处理器 — 外设连接
    1. 7.1  支持的处理器内核
    2. 7.2  跨域选择外设
    3. 7.3  存储器控制器 (DDRSS)
      1. 7.3.1 处理器 DDR 子系统和器件寄存器配置
      2. 7.3.2 DDRSS 的 DDR0_CAL0（IO 焊盘校准电阻器）连接
      3. 7.3.3 所连接存储器器件 ZQ 和 Reset_N（存储器器件复位）的连接
      4. 7.3.4 存储器器件上未使用的信号（引脚）
    4. 7.4  媒体、数据存储接口（MMC0、MMC1、MMC2、OSPI0/QSPI0 和 GPMC0）
      1. 7.4.1 多媒体卡/安全数字 (MMCSD) 接口（MMC0、MMC1、MMC2）
      2. 7.4.2 八路串行外设接口 (OSPI) 或四路串行外设接口 (QSPI)
      3. 7.4.3 通用存储器控制器 (GPMC0) 接口
    5. 7.5  以太网接口
      1. 7.5.1 通用平台 3 端口千兆位以太网交换机 (CPSW3G0)
    6. 7.6  可编程实时单元子系统 (PRUSS)
    7. 7.7  通用串行总线 (USB) 子系统
    8. 7.8  通用连接外设
      1. 7.8.1 内部集成电路 (I2C) 接口
    9. 7.9  模数转换器 (ADC0)
    10. 7.10 显示子系统 (DSS)
    11. 7.11 未使用的处理器电源引脚、IO 和外设的连接
      1. 7.11.1 外部中断 (EXTINTn)
      2. 7.11.2 外部唤醒输入（EXT_WAKEUP0 和 EXT_WAKEUP1）
      3. 7.11.3 RSVD0 预留引脚（信号）
    12. 7.12 EVM 特定电路实现（重复使用）
  11. 8 处理器 IO（LVCMOS 或 SDIO 或开漏、失效防护型 IO 缓冲器）的接口连接及仿真
    1. 8.1 IBIS 模型
    2. 8.2 IBIS-AMI 模型
  12. 9 处理器电流消耗和散热分析
    1. 9.1 功耗估算
    2. 9.2 不同电源轨的最大电流额定值
    3. 9.3 支持的功耗模式
    4. 9.4 热设计指南
      1. 9.4.1 热量模型
      2. 9.4.2 电压热管理模块 (VTM)
  13. 10原理图：采集、录入和审阅
    1. 10.1 定制电路板设计无源元件和值选择
    2. 10.2 定制电路板设计电子计算机辅助设计 (ECAD) 工具注意事项
    3. 10.3 定制电路板设计原理图捕获
    4. 10.4 定制电路板设计原理图审阅
  14. 11布局规划、布局、布线指南、电路板层和仿真
    1. 11.1 PCB 设计迂回布线
    2. 11.2 DDR 设计和布局指南
    3. 11.3 高速差分信号布线指南
    4. 11.4 处理器特定 EVM 板布局
    5. 11.5 定制电路板层数和层堆叠
      1. 11.5.1 仿真建议
    6. 11.6 DDR-MARGIN-FW
    7. 11.7 运行电路板仿真时应遵循的步骤参考
    8. 11.8 处理器的软件开发培训 (Academy)
  15. 12定制电路板组装和测试
    1. 12.1 定制电路板启动提示和调试指南
  16. 13处理器（器件）处理和组装
    1. 13.1 处理器（器件）焊接建议
      1. 13.1.1 其他参考内容
  17. 14术语
  18. 15参考资料
    1. 15.1 处理器特定 (AM62Lx)
    2. 15.2 通用
  19. 16修订历史记录

7.8.1 内部集成电路 (I2C) 接口

该处理器系列支持 x5（六个）（x1（一个）符合 I2C 标准的失效防护漏极开路输出型 IO 缓冲器和 x4（四个）基于 LVCMOS 缓冲器类型 IO 而仿真的 I2C 接口。支持的 I2C 接口包括 x4 主域、x1 WKUP 域 I2C 接口。

对于采用开漏输出型 IO 缓冲器的 I2C 接口（配备 I2C OD FS IO 缓冲器的 I2C2），建议仅当 IO 被配置为复用功能 I2C 接口或 IO 时，使用外部上拉电阻。如果主动驱动 IO（输入），则不需要上拉电阻。

当漏极开路输出型 IO 缓冲器 I2C 接口 (I2C2) 被拉至 3.3V 电源时，输入具有指定的转换率要求。建议使用 RC（延迟）来限制转换率，将 C 放置在处理器引脚附近。有关 RC 实现，请参阅 AM64x EVM 原理图并参阅以下常见问题解答：

[常见问题解答] AM625/AM623/AM620-Q1/AM62A/AM62P/AM62D-Q1/AM62L 定制电路板硬件设计过程中的设计建议/常见错误-SK 原理图设计更新说明

当配置为仿真的漏极开路输出型 IO 缓冲器 I2C 接口（I2C0、I2C1、I2C3 和 WKUP_I2C0）时，建议为 LVCMOS IO 使用外部上拉。有关可用仿真开漏输出型 IO 缓冲器 I2C 实例，请参阅器件特定数据表。

EVM 中的上拉电阻值可作为初始参考值。上拉电阻值取决于 I2C 接口实现方式和 I2C 总线负载情况。建议测量 I2C 波形并根据需要减小（调整）上拉电阻值。

有关更多信息，请参阅以下常见问题解答：

[常见问题解答] AM62L（AM62L32、AM62L31）定制电路板硬件设计 – I2C 接口

注：

进行定制电路板设计期间，请查阅器件特定数据表中时序和开关特性 – I2C 一节的例外情况 小节。请注意模拟 I2C 接口的例外情况。建议为靠近处理器的 I2C 接口信号添加串联电阻器以控制下降时间。

有关更多信息，请参阅器件特定 TRM 外设 一章中的内部集成电路 (I2C) 接口 一节。