ZHCUCO1 December 2024 LMG2656
LMG2656EVM-102 仅报告低侧过热故障。低侧过热保护功能变为有效后,FLT 引脚上会报告低侧过热故障。FLT 引脚是低电平有效的开漏输出,因此该引脚会在出现低侧过热故障时拉至低电平。有关运行详细信息,请参阅 LMG2656 具有集成驱动器和电流检测仿真功能的 650V 250mΩ GaN 半桥数据表。
GDH 引脚以 SW 为基准并用于导通和关断高侧 GaN 功率 FET。GDH 引脚与使用高侧参考信号来控制高侧 GaN 功率 FET 的控制器兼容。LMG2656 旨在与 INH 引脚或控制高侧 GaN 功率 FET 的 GDH 引脚配合使用。
LMG2656EVM-102 使用与两根跳线 SH-J1 和 SH-J2 配对的接头 J2 和 J3 来设置高侧 PWM 输入信号引脚。默认情况下,GDH 短接至 SW,INH 短接至数字接头 J1,而 J1 与相应的 TI 主板或自定义电路相连。
要将 GDH 引脚用作高侧输入信号,INH 必须通过跳线 SH-J2 接地。在接头 J3 的引脚 2 和 3 之间移动此跳线,以将 LMG2656 的 INH 引脚连接到 AGND。接下来,移除跳线 SH-J1 以暴露接头 J2,该接头现在是高侧栅极信号的输入。如果使用波形发生器,请确保接地端悬空,并在 J2 的引脚 1 和 2 之间连接信号。正信号连接到 GDH,负信号连接到 SW。