ZHCUCI1 November   2024 AM2612

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 简介
  5. 本文档中使用的首字母缩写词
  6. ROM 引导要求
  7. 应用要求
  8. 其他使用因素
  9. MCU PLUS SDK 中的闪存支持
  10. 引导兼容闪存器件
  11. 已测试的闪存器件
  12. 德州仪器 (TI) 提供的相关文档
  13. 10修订历史记录

ROM 引导要求

图 1-2 所示,引导流程是 AM261x 采用的一个在上电时启动的序列。R5F 上的 ROM 代码设置为以器件特定技术参考手册中"初始化"一章介绍的特定方式工作。ROM 代码要求闪存发出特定指令,并要求特定的时序和组帧配置来建立通信。AM261x 器件支持多种引导模式,ROM 代码需要以下支持:

  • 支持在 1.8V 和 3.3V 电压下运行的闪存器件。
  • 在 OSPI 引导模式下,闪存必须支持八路输出快速读取(操作码 0x8B)和 1S-1S-8S 传输协议。
  • 在 QSPI 引导模式下,闪存必须支持四路输出快速读取(操作码 0x6B)和 1S-1S-4S 传输协议。
  • 在前面提到的读取操作期间,闪存器件必须提供 8 个虚拟 时钟周期来设置初始地址。
  • 默认情况下,闪存器件必须在 1S 模式下引导。
  • 默认情况下,闪存必须支持 3 字节(24 位)寻址模式。
  • 建议至少使用 4MB 的闪存大小。

所有这些信息均可在所评估的闪存器件的数据表中找到。闪存器件必须支持上述所有要点,才能满足 AM261x 兼容性要求。