BQ25758 和 BQ25758A 评估模块
- ZHCUBU6A March 2024 – August 2024 BQ25758

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EVM User's Guide

BQ25758 和 BQ25758A 评估模块

说明

BQ25758 和 BQ25758A 评估模块 (EVM) 是 BQ25758 和 BQ25758A IC 的完整评估系统。BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 的最大输入和输出电压为 55V，最大输出电流为 10A。

BQ25758 和 BQ25758A IC 是宽电压、双向开关模式降压/升压控制器。这些器件可通过输出 CC-CV 控制在宽电压范围内实现高效电源转换。这些 IC 具有 4.2V 至 60V 的宽输入电压范围和高达 60V 的宽输出电压范围。

开始使用

在 ti.com 上订购 EVM
订购 EV2400 以便与 EVM 通信
下载 BQ25758 BQZ 文件
在 ti.com 上下载 BQ25758 EVM 设计文件

特性

宽输入电压工作范围：4.2V 至 55V
宽输出电压工作范围：高达 55V
具有 NFET 驱动器的同步降压/升压直流/直流控制器
- 可调节开关频率范围：200kHz 至 600kHz
- 可选择与外部时钟同步
- 可选栅极驱动器电源输入，可提高效率
I²C 控制或电阻可编程选项
由电池（反向模式）输出 4V 至 55V 供电
高安全集成
- 可调输入过压和欠压保护
- 输出过压和过流保护

1 评估模块概述

1.1 引言

BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 可以在正向和反向功率方向 USB 扩展功率范围 (EPR) 的整个 240W 范围内进行评估。典型应用包括 USB-PD 扩展功率范围应用、扩展坞、监视器和便携式电源。

该 EVM 不包含 EV2400 或 USB2ANY 接口器件，也不为数字接口提供任何电气隔离。为了评估 BQ25758EVM 或 BQ25758AEVM，必须单独订购 EV2400 或 USB2ANY；在 PC 和 EVM 板之间连接时，必须考虑电气安全注意事项。通过数字接口将 EVM 连接到 PC 时，建议使用具有隔离边界的数字隔离器。

BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 的间隙和爬电距离小于高压电路板上通常使用的间隙和爬电距离，并且没有隔离边界。如果在这些电路板上施加高电压，则必须将所有端子视为具有高电压且危险带电。将该电路板连接到带电的导线时可能会发生电击。这些电路板应由专业人员小心处理。为安全起见，建议使用具有各种保护特性（例如过压和过流保护）的隔离式测试设备。

1.2 套件内容

BQ25758EVM 套件包含：

1 块 BQ25758 EVM

BQ25758AEVM 套件包含：

1 块 BQ25758A EVM

1.3 器件信息

BQ25758 和 BQ25758A 评估模块 (EVM) 是适用于 BQ25758 和 BQ25758A IC 的评估系统。这些 IC 是降压/升压控制器，具有 4.2V 至 60V 的宽输入电压范围、高达 60V 的宽输出电压范围以及双向功能。

该器件可在宽电压范围内实现高效的直流/直流转换。该器件集成了降压/升压转换器的所有环路补偿功能，因此可提供易于使用的高密度方案。

除了 I²C 主机控制模式，该器件还支持可编程硬件限制。输入电流和输出电流调节目标可以分别通过 IIN 和 IOUT 引脚上的单个电阻器来设置。

1.4 通用德州仪器 (TI) 高压评估模块 (TI HV EMV) 用户安全指南

务必遵循 TI 的设置和应用说明，包括在建议的电气额定电压和功率限制范围内使用所有接口元件。务必采取电气安全防护措施，这样有助于确保自身和周围人员的人身安全。如需了解更多信息，请联系 TI 的产品信息中心，网址为 http://ti.com/customer support。

保存所有警告和说明以供将来参考。

警告：务必遵循警告和说明，否则可能引发电击和灼伤危险，进而造成财产损失或人员伤亡。

TI HV EVM 一词是指通常以开放式框架、敞开式印刷电路板装配形式提供的电子器件。该器件严格用于开发实验室环境，仅供了解开发和应用高压电路相关电气安全风险且接受过专门培训、具有专业知识背景的合格专业用户使用。德州仪器 (TI) 严禁任何其他不合规的使用和/或应用。如果不满足资格要求，则需要立即停止进一步使用 HV EVM。

工作区安全：
1. 保持工作区整洁有序。
2. 每次电路通电时，都必须由具有资质的观察员在场监督。
3. TI HV EVM 及接口电子元件通电区域必须设有有效的防护栏和标识；指示可能存在高压操作，以避免意外接触。
4. 开发环境中使用的所有接口电路、电源、评估模块、仪器、仪表、示波器和其他相关装置如果超过 50Vrms/75VDC，则必须置于紧急断电 EPO 保护电源板内。
5. 使用稳定且不导电的工作台。
6. 使用充分绝缘的夹钳和导线来连接测量探针和仪器。尽量不要徒手进行测试。
电气安全：
1. 作为一项预防措施，假设整个 EVM 可能具有完全可接触和有效的高电压是良好的工程实践。
2. 执行任何电气测量或其他诊断测量之前，需切断 TI HV EVM 及其全部输入、输出和电气负载的电源。再次确认 TI HV EVM 已安全断电。
3. 确认 EVM 断电后，根据所需的电路配置、接线、测量设备连接和其他应用需求执行进一步操作，同时仍假定 EVM 电路和测量仪器均带电。
4. EVM 准备就绪后，根据需要将 EVM 通电。
  警告： EVM 通电后，请勿触摸 EVM 或电路，因为电路和 EVM 可能存在高压，会造成电击危险。
人身安全
1. 穿戴个人防护装备（例如乳胶手套或具有侧护板的安全眼镜）或将 EVM 放置于带有联锁装置的透明塑料箱，避免意外接触。

安全使用限制条件：

勿将 EVM 作为整体或部分生产单元使用。

1.4.1 一般安全信息

为确保使用 BQ25758EVM 或 BQ25758AEVM 或在其附近工作的任何人的安全，请注意以下警告和注意事项。请遵循所有安全防护措施。

	警告。注意	BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 电路模块在运行期间可能会因散热而变烫。切勿接触电路板。请遵守适用于相关实验室的所有适用安全规程。警告：表面高温。接触会导致烫伤。请勿触摸！
	警告	BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 的间隙和爬电距离小于高压电路板上通常使用的间隙和爬电距离，并且没有隔离边界。如果用户在该板上施加高电压，则所有端子均被视为具有高电压且危险带电。将该电路板连接到带电的导线时可能会发生电击。电路板需由专业人员小心处理。为安全起见，建议使用具有各种保护特性（例如过压和过流保护）的隔离式测试设备。
	警告	此评估模块 (EVM) 上存在可能导致人身伤害的高电压。在使用此 EVM 时，请确认已遵循所有安全程序。切勿让已通电的 EVM 无人看管。
	警告	断电后，板载电容器上可能存在高电压。在 EVM 断电后，请正确检查所有板载储能器并使其放电。
	注意	在无人看管的情况下，请勿让 EVM 处于通电状态。

警告： EVM 上的通信接口未进行隔离。建议使用数字隔离器。确认在测试期间遵守所有高压安全预防措施。

警告：必须在端子块上实施用于实现额定电流的连接方式。没有为测试点设置板流额定值。

警告：电路模块可能会因过热而损坏。为避免损坏，请在评估期间监测温度并根据需要使系统环境冷却。操作时切勿使电流和电压超出节 2.3中的限值。

警告：施加外部电压可能会损坏测试设备。请检查您的设备要求并根据需要使用阻断二极管或其他隔离技术，以防止设备损坏。

警告：电路模块的板底上有信号迹线、元件和元件引线。这可能会导致电压、高温表面或尖锐的边缘暴露在外面。操作过程中请勿触摸电路板的底部。

警告： BQ25758 和 BQ25758A 的默认设置可能不是专为用户的应用设计的。在器件上电之前，确认根据测试设置进行了正确的 EVM 设置。适当设置所有保护措施并限制电流，以确保安全运行。

警告：电路板未安装保险丝，依靠外部电压源电流限制来验证电路保护。

2 硬件

2.1 电路板参数

表 2-1 BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 的默认电路板设置

	说明	值	单位
ACUV	输入欠压	4.2	V
ACOV	输入过压	55	V
IIN	EVM 的输入电流	8	A
IOUT	EVM 的输出电流	10	A
FSW_SYNC	功率级的开关频率	450	kHz
VOUT	默认输出电压	5	V
IAC 检测电阻	输入电流检测电阻	5	mΩ

表 2-2 BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 的 PCB 和机械参数

	值	单位
电路板尺寸（X 维度或长度）	112	mm
电路板尺寸（Y 维度或宽度）	84	mm
IC + 功率级最大高度	5	mm
铜层总数	6	层
每层覆铜重量	2	oz
电路板总厚度	62	mil

2.2 IO 和跳线说明

表 2-3 连接器/端口说明

插孔	说明
J1-VIN	输入：正极端子
J1-PGND	输入：负极端子（接地端子）
J3-VOUT	连接至负载输出端
J3-PGND	接地
J4-EXT_I2C	USB2ANY 的通信端口
J5-I2C	EV2400 的通信端口
J6-EXT_DRV	外部栅极驱动器接口
J7 电源连接器	VAC 和 BAT 接口
J8 通信端口	EXT_DRV、/INT、I2C、/PG 和 3.3V 接口

表 2-4 跳线说明

跳线	说明	出厂默认设置
JP3	使用 JP3 可连接外部 IOUT 电阻。JP3 可短接到 PGND 以禁用硬件输出电流限制。	未安装
JP4	对 JP4 进行分流可使用默认 IOUT 电阻。通过闭合 JP4，默认 IOUT 电流将设置为 10A。	已安装
JP5	对 JP5 进行分流可偏置 TS。	已安装
JP6	已对 JP5 进行分流（为分压器连接了 REGN）。对 JP6 进行分流可将 TS 状态设置为正常。	已安装
JP7	已对 JP5 进行分流（为分压器连接了 REGN）。使用 JP7 可连接外部电阻以更改 TS 状态。	未安装
JP8	使用 JP8 可连接外部 FSW_SYNC 电阻。	未安装
JP9	对 JP9 进行分流可使用默认 FSW_SYNC 电阻。通过闭合 JP9，默认开关频率将设置为 250kHz。	已安装
JP10	对 JP10 进行分流可使用默认 IIN 电阻。通过闭合 JP10，最大输入电流将设置为 8A。	已安装
JP11	使用 JP11 可连接外部 IIN 电阻。JP11 可短接到 PGND 以禁用硬件输入电流限制。	未安装
JP12	使用 JP12 可选择栅极驱动源。将引脚 1 分流到引脚 2 可使用 IC 内部 LDO REGN 输出。将引脚 2 分流到引脚 3 可使用外部栅极驱动电源。最大外部栅极驱动电源电压最高可达 11V。	已对引脚 1 和引脚 2 进行分流
JP13	对 JP13 进行分流可在正向模式下启用控制器。断开 JP13 可禁用控制器。/CE 引脚也可用作通用指示器。	已安装
JP14	对 JP14 进行分流可将 /INT 连接到上拉电源轨。	已安装
JP15	对 JP15 进行分流可将 STAT1 连接到上拉电源轨。STAT1 引脚也可用作通用指示器。	已安装
JP16	对 JP16 进行分流，用于产生板载 3.3V 上拉电源轨。	已安装

2.3 建议运行条件

表 2-5 BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 的建议运行条件

	说明	最小值	典型值	最大值	单位
VIN (J1)	EVM 的输入电压	4.2		55⁽¹⁾	V
VOUT (J3)	EVM 的输出电压	3.3		55⁽¹⁾	V
IIN (J1)	EVM 的输入电流			10⁽³⁾⁽⁴⁾	A
IOUT (J3)	EVM 的输出电流			10⁽³⁾	A
稳压器输出功率	EVM 的输出功率			400⁽³⁾	W
EXT_DRV (J6)	施加到稳压器 DRV_SUP 引脚的电压	4		11	V
EVM 工作环境温度 (T_A)			25⁽²⁾		°C

(1) 由于与开关模式电源相关的高 di/dt 和 dv/dt 电流量，EVM 上的节点可能具有高于输入电压（降压模式）或输出电压（升压模式）电平的高尖峰。开关节点电压具有高达“输入或输出 + 电感尖峰”电平的摆幅。高侧栅极驱动器具有高达“开关节点电压 + 11V（取决于 DRV_SUP 电源电压）+ 栅极驱动电感尖峰”电平的摆幅。必须始终遵守安全预防措施。

(2) 当温度严重偏离 25°C 室温的情况下，EVM 上的连接器、凸点和跳线不太适合用于评估。请参阅 BOM 了解电路板元件的额定温度。

(3) 如果功率级输出电流大于 5A，或总输出功率大于 100W，则建议进行温度监测（例如，使用热像仪）。

(4) 默认 EVM 输入电流限制通过 IIN 引脚设置为 8A。若要禁用电流限制特性，可以将 EN_IIN_PIN 位设置为“0”、更改 IIN 引脚电阻或通过 JP11 将 IIN 引脚短接至 PGND。

2.4 设备

使用恒压电子负载进行测试时，建议使用下列设备。

电源：
需要一个能够提供 40V 电压、8A 电流的电源。虽然此器件能够处理更大的电压和电流，但在此过程中不需要更高的功率级别。
负载 #1：
电子负载：Kikusui PLZ164WA 0V 至 150V、0A 至 33A 或等效器件
仪表：
六个 Fluke 75 万用表（性能相当或更高）或：三个性能相当的电压表和三个性能相当的电流表。
计算机：
至少有一个 USB 端口和一条 USB 电缆的计算机。
EV2400 通信套件：
在此处订购：https://www.ti.com.cn/tool/cn/EV2400
软件：
从 https://www.ti.com.cn/tool/cn/BQSTUDIO 下载 bqStudio 并正确安装该软件。

2.5 设备设置

根据以下指南来设置设备：

将电源 1 设置为 20VDC、8A 电流限制，然后关闭电源。
将电源 1 的输出与一个电流表串联在一起，然后连接到 J1（VIN 和 PGND）。
在 J1 (VIN) 和 J1 (PGND) 之间连接一个电压表。
将负载 1 与一个电流表串联在一起，然后连接到 J3（VOUT 和 PGND）。
在 J3（VOUT 和 PGND）上连接一个电压表。
在 4A 下将电子负载设置为 CC 模式。关闭负载 1。
将 J5 连接到 EV2400。将 J5 连接到 EV2400 上的 I²C 端口 2。
确保按照“IO 和跳线说明”中所述安装跳线。
打开计算机和电源 1。打开 bqStudio 软件。
1. 选择 Charger 并点击 Next 按钮。
2. 在 Select a Target 页面中选择 Charger_2_00_BQ25758.bqz。
3. 选择目标器件后，点击 Field View，然后点击 Read Register 按钮。
将看门狗设置为禁用。
在 16 Bit Registers 中，VOUT_REG 默认为 5000mV
降压测试：将 VOUT_REG 设置为 5V (5000mV)，然后打开负载 1，测量
V(J1(VAC)) = 20V ± 0.5V
I(J1(IAC)) = 1A ± 0.5A
V(J3(VOUT)) = 5V ± 0.5V
I(J3(IOUT)) = 4A ± 0.5A
降压/升压测试：将 VOUT_REG 设置为 20V (20000mV)，测量
V(J1(VAC)) = 20V ± 0.5V
I(J1(IAC)) = 4A ± 0.5A
V(J3(VOUT)) = 20V ± 0.5V
I(J3(IOUT)) = 4A ± 0.5A
升压测试：将 VOUT_REG 设置为 36V (360000mV)，测量
V(J1(VAC)) = 20V ± 0.5V
I(J1(IAC)) = 7.2A ± 0.5A
V(J3(VOUT)) = 38V ± 0.5V
I(J3(IOUT)) = 4A ± 0.5A

3 硬件设计文件

下面几节介绍 BQ25758EVM 和 BQ25758AEVM 的硬件设计文件。这几节包含原理图、电路板布局布线和物料清单 (BOM)。

3.1 原理图

BQ25758EVM, BQ25758AEVM BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图（第 1 页）

图 3-1 BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图（第 1 页）

BQ25758EVM, BQ25758AEVM BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图（第 2 页）

图 3-2 BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图（第 2 页）

BQ25758EVM, BQ25758AEVM BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图（第 3 页）

图 3-3 BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图（第 3 页）

BQ25758EVM, BQ25758AEVM BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图页面

图 3-4 BQ25758 和 BQ25758A EVM 原理图页面

DNP 表示“不填充”。

3.2 PCB 布局

图 3-5 顶层和覆盖层

图 3-6 第 2 层 — GND

图 3-7 信号层 1

图 3-8 信号层 2

图 3-9 第 5 层 — GND

图 3-10 底层

3.3 物料清单

表 3-1 物料清单

项目编号	位号	数量	值	器件型号	制造商	说明	封装参考
1	C2、C5、C8、C28、C40	5	4.7µF	GCJ32DC72A475KE01L	Murata	4.7µF ±10% 100V 陶瓷电容器 X7S 1210（公制 3225）	1210
2	C4、C29、C42、C53、C56、C150	6	10µF	C3225X7R2A106K250AC	TDK	10µF ±10% 100V 陶瓷电容器 X7R 1210（公制 3225）	1210
3	C7、C38、C39、C44、C57、C70	5	56µF	80SXV56M	Panasonic	56µF 80V 铝聚合物电容，径向，Can - SMD，28mΩ，在 125°C 下寿命为 1000 小时	SMT_CAP_10MM3_10MM3
4	C10、C11、C17、C19、C21、C23、C24、C80、C200	9	0.1µF	HMK107B7104KAHT	Taiyo Yuden	电容器，陶瓷，0.1µF，100V，+/-10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603	603
5	C12、C18	2	0.1µF	06033C104KAT2A	AVX	电容器，陶瓷，0.1μF，25V，+/-10%，X7R，0603	603
6	C13	1		CGA6N3X7R2A225K230AE	TDK Corporation	电容，陶瓷，2.2µF，100V，X7R，10%，SMD，1210，FlexiTerm，125°C，塑料，T/R	1210
7	C16、C78、C81、C82	4	1µF	08051C105K4Z2A	AVX	电容器，陶瓷，1µF，100V，+/-10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0805	805
8	C22、C26	2	4.7µF	CGA4J1X7R1E475K125AE	TDK Corporation	电容，陶瓷，4.7μF，25V，X7R，10%，焊盘，SMD，0805，+125°C，汽车，T/R	805
9	C31	1	1000pF	CGA3E2X7R2A102K080AA	TDK	多层陶瓷电容器，MLCC - SMD/SMT，CGA，0603，100V，1000pF，X7R，10%，AEC-Q200	603
10	C33	1	1µF	12101C105KAT2A	AVX	通用陶瓷电容器，1210，1µF，10%，X7R，15%，100V	1210
11	C34、C35	2	0.47uF	C0603C474K4RACTU	Kemet	电容，陶瓷，0.47µF，16V，+/-10%，X7R，0603	603
12	C43、C152	2	100pF	CGA3E2C0G2A101J080AA	TDK	多层陶瓷电容器，MLCC - SMD/SMT，CGA，0603，100V，100pF，C0G，5%，AEC-Q200	603
13	C48	1	1µF	C0805C105K3RACTU	Kemet	电容，陶瓷，1μF，25V，+/-10%，X7R，0805	805
14	C50	1	220pF	C0603C221K5RACTU	Kemet	电容，陶瓷，220pF，50V，+/-10%，X7R，0603	603
15	C201、C202	2	0.1µF	C0603C104K8RACTU	Kemet	电容器，陶瓷，0.1μF，10V，+/-10%，X7R，0603	603
16	D2、D3	2		V1FM10-M3/H	Vishay	二极管，肖特基，1A，表面贴装，DO-219AB (SMF)	DO-219AB
17	D4、D6	2	绿色	150060VS75000	Wurth Elektronik	LED，绿色，SMD	LED_0603
18	D9、D10	2		VS-1EMH01HM3/5AT	Vishay	二极管，标准，100V，1A，表面贴装，DO-214AC (SMA)	DO-214AC
19	FID1、FID2、FID3、FID4、FID5、FID6	6		不适用	不适用	基准标记。没有需要购买或安装的元件。	不适用
20	H1、H2、H3、H4	4		SJ-5303 (CLEAR)	3M	Bumpon，半球形，0.44 X 0.20，透明	透明 Bumpon
21	J1、J3	2		TB005-762-02BE	CUI 器件		TERM_CONN
22	J4	1		N2510-6002-RB	3M	接头（有罩），100mil，5x2，高温，镀金，TH	5x2 有罩接头
23	J5	1		22053041	Molex	接头（摩擦锁），100mil，4x1，R/A，TH	4x1 R/A 接头
24	J6	1		393570002	Molex	端子块，3.5mm，2x1，锡，TH	端子块，3.5mm，2x1，TH
25	J7	1		1.09159E+14	KYOCERA AVX	连接器，板对板，HDR，5 位，3mm，焊接，RA，SMD，T/R	CONN_SSL_PLUG5
26	J8	1		TSW-104-07-G-D	Samtec	接头，100mil，4x2，镀金，TH	4x2 接头
27	JP3、JP4、JP5、JP6、JP7、JP8、JP9、JP10、JP11、JP13、JP14、JP15、JP16	13		PEC02SAAN	Sullins Connector Solutions	接头，100mil 2x1，锡，TH	接头，2 引脚，100mil，锡
28	JP12	1		PEC03SAAN	Sullins Connector Solutions	接头，100mil 3x1，锡，TH	接头，3 引脚，100mil，锡
29	L2	1	10uH	CMLB135T-100MS	Cyntec	电源扼流圈，10uH，20%，9A，22mΩ	SMT2_13MM45_12Mm6
30	LBL1	1		THT-14-423-10	Brady	热转印打印标签，0.650"（宽）x 0.200"（高）- 10,000/卷	PCB 标签，0.650 x 0.200 英寸
31	PCB1	1		BMS042	不限	印刷电路板
32	Q1、Q2、Q3、Q4	4		SIR880BDP-T1-RE3	Vishay	N 沟道 80V 18.6A (Ta)、70.6A (Tc) 5W (Ta)、71.4W (Tc) 表面贴装 PowerPAK® SO-8	SO-8
33	R2	1	5m	WSL25125L000FEA	Vishay	电阻，金属条，2512，0.005Ω，1%，1W，110ppm/°C，模制 SMD，SMD 压纹，塑料 T/R	2512
34	R3、R8、R13、R17、R20、R23、R68、R69、R101、R160	10	0	CRCW06030000Z0EA	Vishay	厚膜电阻 - SMD，1/10W，0Ω，跳线	603
35	R5、R6、R22、R25	4	10	CRCW060310R0FKEB	Vishay	电阻厚膜，10Ω，1%，0.1W，100ppm/°C，0603	603
36	R10	1	10	CRCW120610R0FKEAHP	Vishay Dale	电阻厚膜，10Ω，1%，0.75W，100ppm/°C，1206	1206
37	R21、R32	2	0	CRCW08050000Z0EA	Vishay-Dale	电阻，0，5%，0.125W，AEC-Q200 0 级，0805	805
38	R24	1	5m	FCSL110R005FER	Ohmite	5mΩ，±1%，5W，片式电阻，宽 4320（公制 11050），2043，电流检测，防潮金属箔	WIDE_4320
39	R28	1	0	RC0805FR-070RL	Yageo America	厚膜电阻 - SMD 0Ω 125mW 0805 1%	805
40	R30	1	29.4k	ERJ-6ENF2942V	Panasonic	电阻，29.4k，1%，0.125W，AEC-Q200 0 级，0805	805
41	R34	1	5.23k	RC0603FR-075K23L	Yageo	电阻，5.23k，1%，0.1W，0603	603
42	R36	1	57.6k	RC0603FR-0757K6L	Yageo	电阻，57.6k，1%，0.1W，0603	603
43	R41、R53、R54、R55、R56	5	10.0k	RC0603FR-0710KL	Yageo	电阻，10.0k，1%，0.1W，0603	603
44	R45、R120	2	0	CRCW08050000Z0EA	Vishay	厚膜电阻 - SMD，1/8W，0Ω，跳线	805
45	R46	1	20	CRCW121020R0FKEAHP	Vishay Dale	厚膜电阻 - SMD，3/4W，20Ω，1%，大功率，AEC-Q200	1210
46	R48	1	499k	RC0603FR-07499KL	Yageo	电阻，499k，1%，0.1W，0603	603
47	R49	1	316k	CR0603-FX-3163ELF	Bourns	厚膜片式电阻，0603，316kΩ，0.1W，1%，100ppm/°C	603
48	R50、R52	2	2.21k	RC0603FR-072K21L	Yageo	电阻，2.21k，1%，0.1W，0603	603
49	R65	1	30.1k	RC0603FR-0730K1L	Yageo	电阻，30.1k，1%，0.1W，0603	603
50	R66	1	2.49k	RC0603FR-072K49L	Yageo	电阻，2.49k，1%，0.1W，0603	603
51	R67	1	4.99k	CRCW06034K99FKEAC	Vishay-Dale	电阻，4.99k，1%，0.1W，0603	603
52	R200、R201	2	1.8k	RC0603JR-071K8L	Yageo	电阻，1.8k，5%，0.1W，0603	603
53	R1000、R1001	2	0	JR0805X35E	Ohmite	0Ω，跳线，0.245W，片式电阻，0805（公制 2012）- 金属元件	805
54	SH-JP1、SH-JP2、SH-JP3、SH-JP4、SH-JP5、SH-JP6、SH-JP7、SH-JP8、SH-JP9、SH-JP10	10	1x2	SNT-100-BK-G	Samtec	分流器，100mil，镀金，黑色	分流器
55	TP1、TP2、TP3、TP4、TP5、TP6、TP7、TP8、TP9、TP10、TP11、TP12、TP13、TP14、TP15、TP16、TP17、TP18、TP19、TP20、TP21、TP22、TP23、TP24、TP25、TP26、TP27、TP28、TP29、TP30、TP31、TP32、TP33、TP34、TP41、TP42、TP43、TP44、TP45、TP46	40		5002	Keystone	测试点，微型，白色，TH	白色微型测试点
56	TP35、TP36、TP37、TP38、TP39、TP40、TP47	7		5016	Keystone	测试点，紧凑型，SMT	Testpoint_Keystone_Compact
57	U1	1		BQ25758 或 BQ25758A	德州仪器 (TI)	I2C 控制型、70V 降压/升压多化合物电池充电控制器	VQFN36
58	U2	1		LT3010EMS8E-PBF	模拟器件	线性稳压器 IC，可调节正电压，1 个输出，50mA，8-MSOP-EP	MSOP8