ZHCUB82A november   2022  – july 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   开始使用
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1评估模块概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
    4. 1.4 器件信息
  8. 2硬件
    1. 2.1 EVM 描述
    2. 2.2 设置
      1. 2.2.1 高压测试
      2. 2.2.2 EVM 连接
      3. 2.2.3 低压测试
    3. 2.3 接头信息
    4. 2.4 EVM 性能验证
    5. 2.5 AEF 设计流程
      1. 2.5.1 AEF 电路优化和调试
  9. 3实现结果
    1. 3.1 EMI 性能
    2. 3.2 热性能
    3. 3.3 浪涌抗扰度
    4. 3.4 SENSE 和 INJ 电压
    5. 3.5 插入损耗
  10. 4硬件设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 物料清单
    3. 4.3 PCB 布局
      1. 4.3.1 装配图
      2. 4.3.2 多层叠
  11. 5合规信息
    1. 5.1 合规性和认证
  12. 6其他信息
    1.     商标
  13. 7相关文档
    1. 7.1 补充内容
  14. 8修订历史记录

2.4 EVM 性能验证

  1. 将 EVM 连接到滤波器板（请参阅图 3-3 中的插座 J2）。
  2. 在 J1 的 VDD 和 GND 端子之间施加 8V 至 16V（标称 12V，纹波电压峰峰值小于 20mV）的 VDD 辅助电源电压。
  3. 测量 TPSF12C1 的 INJ 引脚（引脚 13）相对于 GND 的电压；此电压是 VVDD/2 的直流电压，并且没有指示不稳定的交流扰动。VDD 电流消耗必须约为 12mA。如果 INJ 引脚电压振荡，请修改 EVM 上的阻尼网络元件以实现稳定性。
  4. 用户必须在连接到高压功率级之前执行低压测试。要提供 CM 激励，请从函数发生器连接 5V 峰峰值方波源，如图 3-4 所示。将信号频率设置为功率级的开关频率，并选择可产生所有频谱谐波的占空比（除此之外：50% 的占空比可消除偶次谐波，33.3% 的占空比可消除三次谐波，依此类推）。与信号源串联的 1nF 电容器将模拟实际的 CM 噪声源阻抗。
    • 使用该 CM 激励源，验证 TPSF12C1 INJ 引脚的动态电压范围。确保 INJ 引脚在相对于 GND 的 2.5V 至 VVDD – 2V 电压窗口中运行。
  5. 在每条输入电源线上连接一个 LISN，并在禁用 AEF 的情况下测量 EMI（EN 连接至 GND），以对现有的无源滤波器进行基准测试。禁用 AEF 后，通过将 J1 的 INJ 端子连接到 GND，将注入电容器的低压（底部）端子短接至 GND。这将模拟等效无源滤波器设计中的 Y 电容器连接。
  6. 消除注入电容器上的下拉短路，并通过允许 EN 悬空至高电平来启用 AEF 电路。重复 EMI 测量，从而量化与 AEF 相关的 EMI 降低量。
  7. 以类似的方式，使用网络分析器对滤波器插入损耗 或衰减 性能进行比较。要使用 50Ω 源阻抗和负载阻抗进行真正的插入损耗测量，请将 LISN 替换为从 L 或 N 连接到 GND 的 50Ω 负载。
  8. 使用高压安全防护措施，连接开关功率级，如图 3-3 所示。打开稳压器，与第 4 步类似，确认 IC 的 INJ 引脚电压没有被削波。要增大 INJ 电压的动态范围，请增大以下一项或多项：
    • 稳压器侧 Y 电容 CY3 和 CY4
    • 注入电容 CINJ
    • VDD 电源电压 VVDD
  9. 在启用和禁用 AEF 的情况下测量 EMI，与第 5 步和第 6 步中所述的过程类似。
  10. 关断稳压器。等待所有高压电容器完全放电。