4 电路板布局

本节提供了 TPS51215AEVM 电路板布局和分层图解的说明。图 4-1 至图 4-9 显示了 TPS51215AEVM 的电路板布局。顶层和底层各覆铜 2oz ，中间各层分别覆铜 1oz。

VIN 电容器、VOUT 电容器和 MOSFET 是功率元件，应放在 PCB 的一面（焊接面）。至少应插入一个内部平面并接地以实现屏蔽，并使小信号迹线与嘈杂的电力线分离开。

所有敏感的模拟迹线和元件（例如 VSNS、SLEW、VID、VREF 和 TRIP）应远离高压开关节点（例如 SW、DRVH、DRVL 或 BST）放置，以避免发生耦合。使用内部的一层或多层作为接地平面，并屏蔽反馈迹线，使其与电源迹线和功率元件隔离开。

将 VSNS 直接连接到负载器件的输出电压感测点。将 GSNS 连接到负载器件的接地返回点。布线为差分线路，以避免噪声耦合。

将过流设置电阻器从 TRIP 引脚连接至地，并使其接线尽可能靠近器件。从 TRIP 引脚到电阻器的迹线和从电阻器到地面的迹线应避免耦合到高压开关节点。

从栅极驱动器到高侧或低侧 MOSFET 栅极的接线应尽可能短，以减少杂散电感。

PCB 迹线定义为 SW 节点，它连接到开关 MOSFET 的源极、整流 MOSFET 的漏极和电感器的高压侧，应该尽可能短而宽。