4 EVM 配置选项

采用 DGQ 封装的 SN6507 的引脚图如图 4-1 所示。

SN6507DGQEVM 旨在通过为多个外部元件提供占位符选项来灵活地评估 SN6507 器件。SN6507 引脚可配置选项、缓冲电路元件、全桥输出配置、LDO 输出和隔离变压器本身都可以使用此 EVM 上的元件封装和跳线设置进行调整。变压器封装 T1 与许多市售推挽式隔离变压器兼容。EVM PCB 如图 4-2 所示。

下面列出了 SN6507 EVM 的各种配置选项的详细信息。

使用 RC 的引脚配置：SN6507 引脚可调特性的配置选项（包括使能、UVLO、SW1/SW2 开关频率（CLK）、占空比控制、压摆率调整、软启动时间和过流保护限制）可在 SN6507 数据表中找到。此 EVM 上的相应元件封装如下：

• Ruv1 和 Ruv2 对应于用于 UVLO 和 EN 编程的 RENT 和 RENB

• RDC 用于占空比控制编程，并在连接 J13 的引脚 2-3 时工作。如果使用占空比控制，请确保将兼容的变压器放置在封装 T1 中，并使用具有足够电感的输出电感器代替 L1（和 L2，如果需要）

• RCLK 可用于对内部 CLK 进行编程，并在连接 J10 的引脚 3-4 时工作

• RSR 用于调整开关引脚 SW1 和 SW2 的压摆率，并在连接 J9 的引脚 2-3 时工作

• Rilim 用于调整 SN6507 的过流保护限制

• Css 用于调整 SN6507 在上电期间的软启动时间

变压器替换：默认包含一个 24V IN 到 15V OUT 变压器来代替 T1。要评估不同的变压器，请将此变压器拆焊并用与 T1 封装兼容的 6 引脚或 8 引脚推挽式变压器替换它。

次级侧缓冲器电路：默认情况下，在 R12、C15 和 R13、C16 上安装了一个 100Ω、62pF 的 RC 缓冲电路，有助于最大限度地减少电磁辐射。这些元件是可选的，因此它们可以用其他元件替换或从 EVM 中移除，并从使用 SN6507 器件的设计中排除。

初级侧缓冲器电路：初级侧缓冲电路可以使用 R10、C11 和 R11、C12 的封装来放置，以进一步减少辐射。可以使用如何减少推挽式隔离电源中的辐射 ( (SLLA566） 中的步骤计算初级侧缓冲电路值。

输出整流器：随附了二极管占位符 D1、D2、D4、D5 和电阻器 R9，以便系统设计人员试验推挽式电源可以支持的不同输出拓扑。默认情况下填充 D2 和 D5，因为这是典型的应用拓扑，SN6507 数据表中的一些示例输出设计可在此 EVM 上进行配置，以通过在 EVM 上填充 D1 和 D4 来借助“-Vout”网络实现双极性或倍压输出。如果 R9 被移除，请确保通过断开 J4 的引脚 1-2 来绕过输出 LDO U1，因为 ISO_GND 电位将悬空。

铁氧体磁珠选项：为了减少电源输出连接到长电缆或具有高振铃时的辐射，可以焊接铁氧体来代替 R15、R14、R6、R7 和 R8。推荐使用在 100MHz 下具有 1kΩ 或更高阻抗的铁氧体，例如 Würth Elektroniks 742792662。

输入侧瞬态保护：添加对 TVS3300、U3 等扁平钳位二极管或 SMAJ36A、D7 等 TVS 二极管的规定，以保护电源输入免受高于所需电源电平的外部瞬态影响。

输出侧瞬态保护：添加了 TVS 二极管占位符 D3 和 D6，以保护 SN6507 输出免受高于所需输出电源电平的外部瞬态影响。

LDO 输出：通过使用跳线 J3 连接任一 R5x 电阻器，可以将随附的 LM317A 配置为更改稳压输出电压电平。配置 LDO 时，确保 LDO 输入电压在 LDO 的建议限值范围内，并且足够高以支持所需的输出电压电平和 LM317A 的压差电压。通过连接 J3 的引脚 1-2 可配置 15V 稳压输出，通过连接 J3 的引脚 2-3 可配置 12V 稳压输出，及通过连接 J3 的引脚 5-6 并依据Equation1 将 R5C 更改为满足所需输出电压的值可配置自定义输出电压值。

表 4-1 显示了一个为实现共模电压输出而计算的 R5C 电阻值表：

跳线配置：表 4-2详细介绍了 SN6507DGQEVM 的跳线配置信息。